參數(shù)資料
型號： TISPPBL2D
廠商： Power Innovations International, Inc.
英文描述： DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS FOR ERICSSON COMPONENTS SLICS
中文描述： 雙遠期導電的P -門晶閘管愛立信成分SLIC組件
文件頁數(shù)： 5/19頁
文件大?。?/td> 364K
代理商： TISPPBL2D
5
AUGUST 1997 - REVISED DECEMBER 1999
TISPPBL1D, TISPPBL1P TISPPBL2D, TISPPBL2P
DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS
FOR ERICSSON COMPONENTS SLICS
P R O D U C T I N F O R M A T I O N
PARAMETER MEASUREMENT INFORMATION
Figure 3 TEST CIRCUIT FOR MEASUREMENT OF LIMITING VOLTAGE
Figure 4 CURRENT WAVEFRONT
Figure 5 CURRENT WAVEFRONT di/dt
R1
50
Hi
V
(V
GG
)
-50 V
AI6XBACB
15
20 nF
20 μF
25
IMPULSE
CURRENT
I
T
, I
F
LIMITING
VOLTAGE
V
K
, V
F
±1960 V
S1
Lo
DUT
(TISPPBLx)
220 nF
R1 = ONE SECTION OF A THICK-FILM HIGH
VOLTAGE PULSE RESISTOR NETWORK
ECAT WITH E502 0.5/700 SURGE NETWORK
I
G
Th4
Th5
E502 0.5/700 WAVEFRONT CURRENT
vs
TIME
Time - μs
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
i
0
5
10
15
20
AI6XAY
E502 0.5/700 WAVEFRONT di/dt
vs
TIME
Time - μs
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
d
0
10
20
30
40
50
60
70
80
AI6XAZ
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PDF描述
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TISPPBL2SDR-S 功能描述:SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
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