參數(shù)資料
型號： THS4275DGK
廠商： Texas Instruments, Inc.
英文描述： LOW NOISE, HIGH SLEW RATE, UNITY GAIN STABLE VOLTAGE FREEBACK AMPLIFIER
中文描述： 低噪聲，高擺率，單位增益穩(wěn)定電壓留言反饋放大器
文件頁數(shù)： 29/38頁
文件大?。?/td> 1055K
代理商： THS4275DGK
SLOS397E JULY 2002 REVISED JANUARY 2004
www.ti.com
29
In order to achieve the maximum performance of the
device, PCB layout is very critical. Texas Instruments has
developed an EVM for the evaluation of the THS4271 in a
gain of 1. The EVM is shown in Figure 101 through
Figure 104. This EVM is designed to minimize peaking in
the unity gain configuration.
Minimizing the inductance in the feedback path is critical
for reducing the peaking of the frequency response in unity
gain. The recommended maximum inductance allowed in
the feedback path is 4 nH. This can be calculated by using
Equation 8.
L(nH)
K
ln
2
W
T
0.223W
T
0.5
where
:
W = Width of trace in inches.
= Length of the trace in inches
.
T = Thickness of the trace in inches.
K = 5.08 for dimensions in inches, and K = 2 for dimensions
in cm.
Figure 95. THS4271/THS4275 EVM Circuit
Configuration
R1
R5
J2
Vin+
R6
Vs+
U1
2
3
6
7
4 1
8
J8
Power Down Ref
Vs+
R8
C8
Vs
R4
R7
C7
J9
Power Down
R2
J4
Vout
Vs
R9
R3
J1
Vin
TP1
+
C1
VS
J7
VS
C6
C5
C2
VS+
J5
+
FB2
C4
C3
FB1
GND
VS+
J6
_
+
Figure 96. THS4271/THS4275 EVM Board
Layout (Top Layer)
Figure 97. THS4271/THS4275 EVM Board
Layout (Second Layer, Ground)
(8)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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THS4275DGNR LOW NOISE, HIGH SLEW RATE, UNITY GAIN STABLE VOLTAGE FREEBACK AMPLIFIER
THS4275DR LOW NOISE, HIGH SLEW RATE, UNITY GAIN STABLE VOLTAGE FREEBACK AMPLIFIER
THS4275DRBR LOW NOISE, HIGH SLEW RATE, UNITY GAIN STABLE VOLTAGE FREEBACK AMPLIFIER
THS4303RGTR WIDEBAND FIXED-GAIN AMPLIFIER
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參數(shù)描述
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