參數(shù)資料
型號: THN5602F
廠商: Tachyonics CO,. LTD.
英文描述: NPN SiGe RF POWER TRANSISTOR
中文描述: npn型硅鍺射頻功率晶體管
文件頁數(shù): 3/6頁
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代理商: THN5602F
THN5602F
DC CHARACTERISTICS
Tj=25
unless otherwise specified
BV
CBO
collector-base breakdown voltage
open emitte
BV
CEO
collector-emitter breakdown voltage
open base
BV
EBO
emitter-base breakdown voltage
open collector
I
S
collector leakage current
h
FE
DC current gain
Cc
collector capacitance
Fig 1. DC Current gain v.s collector current
Fig 2. Collector-base capacitance v.s collector-
base voltage(DC)
4.5
pF
200
V
0.1
mA
V
8
V
SYMBOL
PARAMETER
CONDITION
MIN.
MAX.
UNIT
20
3
60
www.tachyonics.co.kr
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