參數(shù)資料
型號(hào)： THM72V2010ATG-60
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： 2,097,152 WORDS X 72 BIT DYNAMIC RAM MODULE
中文描述： 2097152字× 72位動(dòng)態(tài)RAM模塊
文件頁(yè)數(shù)： 8/30頁(yè)
文件大小： 1861K
代理商： THM72V2010ATG-60
THM72V2010AG/ATG-60/70
Standard DRAM
DM16050295
8
TOSHIBA AMERICA ELECTRONIC COMPONENTS, INC
.
PRELIMINARY
Electrical Characteristics and Recommended AC Operating Conditions (V
CC
= 3.3V
±
5%, Ta = 0 ~ 70
°
C) (Notes 6,7,8)
SYMBOL
PARAMETER
THMxxxxxx-60
THMxxxxxx-70
UNIT
NOTES
MIN
MAX
MIN
MAX
ns
t
RC
t
PC
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
CPA
t
RAS
t
RASP
t
RSH
t
CSH
t
RHCP
t
CAS
t
RAL
Random Read or Write Cycle Time
Fast Page Mode Cycle Time
Access Time from RAS
Access Time from CAS
Access Time from Column Address
Access Time from CAS Precharge
RAS Pulse Width
RAS Pulse Width (Fast Page Mode)
RAS Hold Time
CAS Hold Time
CAS Precharge to RAS Hold
CAS Pulse Width
Column Address to RAS Lead
115
45
-
-
-
-
65
65
25
65
45
20
40
-
-
135
50
-
-
-
-
75
75
30
75
50
25
45
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
65
25
40
45
75
30
45
50
9, 14, 15
9, 14
9, 15
9
10,000
200,000
-
-
-
10,000
-
10,000
200,000
-
-
-
10,000
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
THM72V2010ATG-70 2,097,152 WORDS X 72 BIT DYNAMIC RAM MODULE
THMR1E8-8 67，108，864-Word（128MBytes) by 18-Bit(64M-Word × 18Bit)Direct Rambus DRAM Module(I/O Frequency:800MHz）(128M字節(jié)(64M字× 18位)直接Rambus 動(dòng)態(tài)RAM模塊(I/O 頻率:800MHz）)
THMR1E8-6 67，108，864-Word（128MBytes) by 18-Bit(64M-Word × 18Bit)Direct Rambus DRAM Module(I/O Frequency:600MHz）(128M字節(jié)(64M字× 18位)直接Rambus 動(dòng)態(tài)RAM模塊(I/O 頻率:600MHz）)
THMR1E8-7 67，108，864-Word（128MBytes) by 18-Bit(64M-Word × 18Bit)Direct Rambus DRAM Module(I/O Frequency:711MHz）(128M字節(jié)(64M字× 18位)直接Rambus 動(dòng)態(tài)RAM模塊(I/O 頻率:711MHz）)
THMY6416E1BEG-80 16M Word x 64 Bit Synchronous DRAM Module(16M字 x 64位同步動(dòng)態(tài)RAM模塊)
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參數(shù)描述
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