- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄384974 > THM72V2010AG-70 (Toshiba Corporation) 2,097,152 WORDS X 72 BIT DYNAMIC RAM MODULE PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | THM72V2010AG-70 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | 2,097,152 WORDS X 72 BIT DYNAMIC RAM MODULE |
| 中文描述： | 2097152字× 72位動態(tài)RAM模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 5/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 1861K |
| 代理商： | THM72V2010AG-70 |
第1頁第2頁第3頁第4頁當(dāng)前第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁
DM16050295
Standard DRAM
THM72V2010AG/ATG-60/70
TOSHIBA AMERICA ELECTRONIC COMPONENTS, INC
.
5
PRELIMINARY
DC Electrical Characteristics (V
CC
= 3.3V
±
5%, Ta = 0 ~ 70
°
C)
Capacitance (V
CC
= 3.3V
±
5%, f = 1MHz, Ta = 0 ~ 70
°
C)
SYMBOL
PARAMETER
MIN
MAX
UNIT
NOTE
|
CC1
OPERATING CURRENT
Average Power Supply Operating Current
(RAS, CS, Address Cycling: t
STANDBY CURRENT
Power Supply Standby Current
(RAS=CAS=V
IH
)
RAS ONLY REFRESH CURRENT
Average Power Supply Current, RAS Only Mode
(RAS Cycling, CAS=V
IH
: t
FAST PAGE MODE CURRENT
Average Power Supply Current, Fast Page Mode
(RAS=V
IL
, CAS, Address Cycling: t
STANDBY CURRENT
Power Supply Standby Current
(RAS=CAS=V
CC
-0.2V)
CAS BEFORE RAS REFRESH CURRENT
Average Power Supply Current, CAS Before RAS Mode
(RAS, CAS Cycling: t
RC
=t
RC
INPUT LEAKAGE CURRENT
Input Leakage Current, any input
(0V
≤
V
IN
≤
V
CC
, All Other Pins Not Under Test=0V)
OUTPUT LEAKAGE CURRENT
(D
OUT
is disabled, (0V
≤
V
OUT
OUTPUT LEVEL
Output “H” Level Voltage (I
OUT
OUTPUT LEVEL
Output “L” Level Voltage (I
OUT
RC
=t
RC
MIN.)
THMxxxxxx-60
-
1180
mA
3, 4
5
THMxxxxxx-70
-
1000
|
CC2
-
19
mA
|
CC3
RC
=t
RC
MIN.)
THMxxxxxx-60
-
1180
mA
3
,
5
THMxxxxxx-70
-
1000
|
CC4
PC
=t
PC
MIN.)
THMxxxxxx-60
-
685
mA
3, 4
5
THMxxxxxx-70
-
595
|
CC5
-
14.5
mA
|
CC6
MIN.)
THMxxxxxx-60
-
1180
mA
3
,
5
THMxxxxxx-70
-
1000
|
I (L)
-10
10
μ
A
|
O (L)
≤
V
CC
)
-10
10
μ
A
V
OH
= -2mA)
2.4
-
V
V
OL
=2mA)
-
0.4
V
SYMBOL
PARAMETER
MIN
MAX
UNIT
C
I1
C
I2
C
I3
C
I4
C
I5
C
I6
C
DQ
Input Capacitance (B0, A0 ~ A9, A10R)
Input Capacitance (WE0, 2)
Input Capacitance (RAS0, 2)
Input Capacitance (CAS0, 4)
Input Capacitance (OE0, 2)
Input Capacitance (PDE)
I/O Capacitance (DQ0 ~ 71)
-
-
-
-
-
-
-
13
10
33
10
10
13
30
P
F
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| THM72V2010ATG-60 | 2,097,152 WORDS X 72 BIT DYNAMIC RAM MODULE |
| THM72V2010ATG-70 | 2,097,152 WORDS X 72 BIT DYNAMIC RAM MODULE |
| THMR1E8-8 | 67，108，864-Word（128MBytes) by 18-Bit(64M-Word × 18Bit)Direct Rambus DRAM Module(I/O Frequency:800MHz）(128M字節(jié)(64M字× 18位)直接Rambus 動態(tài)RAM模塊(I/O 頻率:800MHz）) |
| THMR1E8-6 | 67，108，864-Word（128MBytes) by 18-Bit(64M-Word × 18Bit)Direct Rambus DRAM Module(I/O Frequency:600MHz）(128M字節(jié)(64M字× 18位)直接Rambus 動態(tài)RAM模塊(I/O 頻率:600MHz）) |
| THMR1E8-7 | 67，108，864-Word（128MBytes) by 18-Bit(64M-Word × 18Bit)Direct Rambus DRAM Module(I/O Frequency:711MHz）(128M字節(jié)(64M字× 18位)直接Rambus 動態(tài)RAM模塊(I/O 頻率:711MHz）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| THM72V2010ATG-60 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORDS X 72 BIT DYNAMIC RAM MODULE |
| THM72V2010ATG-70 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORDS X 72 BIT DYNAMIC RAM MODULE |
| THM84000L-10 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:4,194,304 WORDSx8 BIT DYNAMIC RAM MODULE |
| THM84000L-80 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:4,194,304 WORDSx8 BIT DYNAMIC RAM MODULE |
| THM84000S | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:4,194,304 WORDSx8 BIT DYNAMIC RAM MODULE |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。