參數(shù)資料
型號： TEA5762
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： Self Tuned Radio STR
中文描述： 自調(diào)諧收音機可疑
文件頁數(shù)： 14/32頁
文件大?。?/td> 171K
代理商： TEA5762
1999 Aug 04
14
Philips Semiconductors
Product specification
Self Tuned Radio (STR)
TEA5762
AM CHARACTERISTICS
Input frequency = 1 MHz; m = 0.3; f
mod
= 1 kHz; measured in test circuit at pin 10 (see Fig.9); S2 in position B;
V
i1
measured at input of matching network at pin 2; matching network adjusted to maximum output voltage at low input
level; refer to test circuit (see Fig.9); unless otherwise specified.
FM-IF CHARACTERISTICS
Input frequency = 10.7 MHz;
f = 22.5 kHz; f
mod
= 1 kHz; measured in test circuit (see Fig.9) at pin 10; S2 in position B;
refer to test circuit (see Fig.9); unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
V
10
V
i1
V
il
AF output voltage
RF sensitivity
large signal voltage handling
capacity
power supply ripple rejection
V
V
7
V
i1
= 5 mV
S/N = 26 dB
m = 0.8; THD
≤
8%
36
40
150
45
55
300
70
70
mV
μ
V
mV
PSRR
V
7
= 100 mV (RMS);
100 Hz; V
7
= 3.0 V
47
dB
I
i
C
i
G
c
input current (pin 2)
input capacitance (pin 2)
front-end conversion gain
V
44
= 0.2 V
V
44
= 0.2 V
V
44
= 0.2 V
V
44
= 0.9 V
5
26
0
10
14
50
0.8
56
4
14
0
2.0
μ
A
pF
dB
dB
dB
%
dB
S/N
THD
α
450
signal-to-noise ratio
total harmonic distortion
IF suppression
V
i1
= 1 mV
V
10
= 30 mV
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
V
10
V
i4
AF output voltage
IF limiting sensitivity
V
i4
= 10 mV
V
10
=
3 dB; V
10
= 0 dB at
V
i4
= 10 mV
V
7
= 100 mV (RMS);
100 Hz; V
7
= 3.0 V
40
48
50
57
80
mV
μ
V
PSRR
power supply ripple rejection
V
7
44
dB
S/N
THD
signal-to-noise ratio
total harmonic distortion
V
i4
= 10 mV
IF filter SFE10.7MS3A20K-A
62
0.3
0.8
dB
%
----------
----V
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PDF描述
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