參數(shù)資料
型號(hào)： TE28F640J3C
廠商： Intel Corp.
英文描述： Intel StrataFlash Memory (J3)
中文描述： 英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器（J3）
文件頁數(shù)： 12/72頁
文件大?。?/td> 905K
代理商： TE28F640J3C
256-Mbit J3 (x8/x16)
12
Datasheet
3.2
Easy BGA (J3) Package
NOTES:
1. For Daisy Chain Evaluation Unit information refer to the Intel Flash Memory Packaging Technology Web page at;
www.intel.com/design/packtech/index.htm
2. For Packaging Shipping Media information see www.intel.com/design/packtech/index.htm
Figure 4. Intel StrataFlash
Memory (J3) Easy BGA Mechanical Specifications
Table 2. Easy BGA Package Dimensions
Millimeters
Inches
Symbol
Min
Nom
Max
Notes
Min
Nom
Max
Package Height
A
1.200
0.0472
Ball Height
A1
0.250
0.0098
Package Body Thickness
A2
0.780
0.0307
Ball (Lead) Width
b
0.330
0.430
0.530
0.0130
0.0169
0.0209
Package Body Width (32 Mb, 64 Mb, 128 Mb, 256 Mb)
D
9.900
10.000
10.100
1
0.3898
0.3937
0.3976
Package Body Length (32 Mb, 64 Mb, 128 Mb)
E
12.900
13.000
13.100
1
0.5079
0.5118
0.5157
Package Body Length (256 Mb)
E
14.900
15.000
15.100
1
0.5866
0.5906
0.5945
Pitch
[e]
1.000
0.0394
Ball (Lead) Count
N
64
64
Seating Plane Coplanarity
Y
0.100
0.0039
Corner to Ball A1 Distance Along D (32/64/128/256 Mb)
S1
1.400
1.500
1.600
1
0.0551
0.0591
0.0630
Corner to Ball A1 Distance Along E (32/64/128 Mb)
S2
2.900
3.000
3.100
1
0.1142
0.1181
0.1220
Corner to Ball A1 Distance Along E (256 Mb)
S2
3.900
4.000
4.100
1
0.1535
0.1575
0.1614
E
Seating
Plane
S1
S2
e
Top View - Ball side down
Bottom View - Ball Side Up
Y
A
A1
D
Ball A1
Corner
A2
Note: Drawing not to scale
A
B
C
D
E
F
G
H
8
7
6
5
4
3
2
1
8
7
6
5
4
3
2
1
A
B
C
D
E
F
G
H
b
Ball A1
Corner
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TE28F640J3C-115 Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F640J3C-120 Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F640J3C-125 Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F640J3C-150 Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F256J3C-110 Intel StrataFlash Memory (J3)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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TE28F640J3C115SL7HA 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
TE28F640J3C-120 制造商:INTELC 功能描述: 制造商:INTL 功能描述: 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 4M x 16, 56 Pin, Plastic, TSSOP
TE28F640J3C-125 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3)
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