參數(shù)資料
型號: TE28F640J3C-120
廠商: INTEL CORP
元件分類: DRAM
英文描述: Intel StrataFlash Memory (J3)
中文描述: 4M X 16 FLASH 2.7V PROM, 120 ns, PDSO56
封裝: 14 X 20 MM, TSOP-56
文件頁數(shù): 72/72頁
文件大?。?/td> 905K
代理商: TE28F640J3C-120
256-Mbit J3 (x8/x16)
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Datasheet
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TE28F640J3C-125 Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F640J3C-150 Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F256J3C-110 Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F128J3C-110 Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F640J3C-110 Intel StrataFlash Memory (J3)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TE28F640J3C-125 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F640J3C-150 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F640J3D75 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:MM#872333 64M FLASH EOL300410 制造商:Intel 功能描述: 制造商:INTELC 功能描述:
TE28F640J3D-75 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx? Embedded Flash Memory (J3 v. D)
TE28F640J3D75A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 75NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ