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參數(shù)資料
| 型號： | TE28F640J3C-115 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 2.7V PROM, 115 ns, PDSO56 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, TSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 30/72頁 |
| 文件大?。?/td> | 905K |
| 代理商： | TE28F640J3C-115 |
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256-Mbit J3 (x8/x16)
30
Datasheet
NOTE:
C
L
Includes Jig Capacitance.
7.6
Capacitance
T
A
= +25 °C, f = 1 MHz
Figure 16. Transient Equivalent Testing Load Circuit
Device
Under Test
Out
R
L
= 3.3 k
1N914
1.3V
C
L
Test Configuration
C
L
(pF)
V
CCQ
= V
CC
= 2.7 V
3.6 V
30
Symbol
Parameter
(1)
Type
Max
Unit
Condition
C
IN
Input Capacitance
6
8
pF
V
IN
= 0.0 V
C
OUT
Output Capacitance
8
12
pF
V
OUT
= 0.0 V
NOTES:
1. Sampled, not 100% tested.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F640J3C-120 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| TE28F640J3C-125 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| TE28F640J3C-150 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| TE28F256J3C-110 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| TE28F128J3C-110 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F640J3C115SL7HA | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| TE28F640J3C-120 | 制造商:INTELC 功能描述: 制造商:INTL 功能描述: 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 4M x 16, 56 Pin, Plastic, TSSOP |
| TE28F640J3C-125 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| TE28F640J3C-150 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| TE28F640J3D75 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:MM#872333 64M FLASH EOL300410 制造商:Intel 功能描述: 制造商:INTELC 功能描述: |
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