參數(shù)資料
型號: TE28F640B3
廠商: Intel Corp.
英文描述: 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
中文描述: 3伏高級啟動塊閃存
文件頁數(shù): 44/58頁
文件大小: 920K
代理商: TE28F640B3
28F004/400B3, 28F008/800B3, 28F016/160B3, 28F320B3, 28F640B3
38
3UHOLPLQDU\
Appendix B Architecture Block Diagram
0580-C1
O
M
4
P
3
M
3
M
4
P
Y-Gating/Sensing
Write State
Machine
Program/Erase
Voltage Switch
Data
Comparator
Status
Register
Identifier
Register
D
R
I/O Logic
Address
Latch
Address
Counter
X-Decoder
Y-Decoder
Power
Reduction
Control
Input Buffer
Output Buffer
GND
V
CC
V
PP
CE#
WE#
OE#
RP#
Command
User
Interface
Input Buffer
A
0
-A
19
DQ
0
-DQ
15
V
CCQ
WP#
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TE28F640B3BC100 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
TE28F640B3BC90 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
TEA-566A POWER MOSFET
TEA0655
TEA0657
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TE28F640B3BC100 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
TE28F640B3BC90 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
TE28F640B3TC100 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
TE28F640B3TC90 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
TE28F640C3 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Intel Advanced+ Boot Block Flash Memory