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參數資料
| 型號： | TE28F320J3C-125 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| 中文描述： | 英特爾StrataFlash存儲器（J3） |
| 文件頁數： | 65/72頁 |
| 文件大?。?/td> | 905K |
| 代理商： | TE28F320J3C-125 |
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256-Mbit J3 (x8/x16)
Datasheet
65
Figure 24. Set Block Lock-Bit Flowchart
Start
Write 60H,
Block Address
Write 01H,
Block Address
Read Status Register
SR.7 =
Full Status
Check if Desired
Set Lock-Bit Complete
FULL STATUS CHECK PROCEDURE
Bus
Operation
Write
1
0
Command
Set Block Lock-Bit
Setup
Comments
Data = 60H
Addr =Block Address
Read Status Register
Data (See Above)
Voltage Range Error
SR.3 =
1
0
Command Sequence
Error
SR.4,5 =
1
0
Set Lock-Bit Error
SR.4 =
1
0
Set Lock-Bit
Successful
Bus
Operation
Standby
Command
Comments
Check SR.3
1 = Programming Voltage Error
Detect
SR.5, SR.4 and SR.3 are only cleared by the Clear Status Register
command, in cases where multiple lock-bits are set before full status is
checked.
If an error is detected, clear the status register before attempting retry
or other error recovery.
Standby
Check SR.4, 5
Both 1 = Command Sequence
Error
Standby
Check SR.4
1 = Set Lock-Bit Error
Write
Set Block Lock-Bit
Confirm
Data = 01H
Addr = Block Address
Standby
Repeat for subsequent lock-bit operations.
Full status check can be done after each lock-bit set operation or after
a sequence of lock-bit set operations.
Write FFH after the last lock-bit set operation to place device in read
array mode.
Check SR.7
1 = WSM Ready
0 = WSM Busy
Read
Status Register Data
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F320J3C-150 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| TE28F640J3A-110 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| TE28F640J3A-115 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| TE28F256J3A-115 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| TE3-MUX | Ultraframer DS3/E3/DS2/E2/DS1/E1/DS0 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TE28F320J3C-150 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| TE28F320J3D-75 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx Embedded Flash Memory |
| TE28F320J3D75894037 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NUMTE28F320J3D75894037 EMBEDDED FLASH ME |
| TE28F320J3D75A | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 75NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| TE28F320J3D75E | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Intel 功能描述: 制造商:Numonyx Memory Solutions 功能描述: |
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