參數(shù)資料
型號： TE28F320J3C-110
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Memory (J3)
中文描述： 2M X 16 FLASH 2.7V PROM, 110 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, TSOP-56
文件頁數(shù)： 28/72頁
文件大?。?/td> 905K
代理商： TE28F320J3C-110
256-Mbit J3 (x8/x16)
28
Datasheet
Figure 12. Asynchronous Write Waveform
Figure 13. Asynchronous Write to Read Waveform
D
W11
W1
W13
W7
W4
W9
W3
W2
W6
W8
W5
ADDRESS [A]
CEx (WE#) [E (W)]
WE# (CEx) [W (E)]
OE# [G]
DATA [D/Q]
STS[R]
RP# [P]
VPEN [V]
D
W11
W1
W7
W4
W12
W3
W2
W6
W8
W5
Address [A]
CE# [E]
WE# [W]
OE# [G]
Data [D/Q]
RST#/ RP# [P]
VPEN [V]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TE28F128J3A-150 Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F128J3C Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F128J3C-115 Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F128J3C-120 Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F128J3C-125 Intel StrataFlash Memory (J3)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TE28F320J3C110SL7H8 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
TE28F320J3C-115 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F320J3C-120 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F320J3C-125 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F320J3C-150 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3)
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*