參數(shù)資料
型號(hào)： TE28F320J3A-150
廠商： Intel Corp.
英文描述： Intel StrataFlash Memory (J3)
中文描述： 英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器（J3）
文件頁(yè)數(shù)： 30/72頁(yè)
文件大?。?/td> 905K
代理商： TE28F320J3A-150
256-Mbit J3 (x8/x16)
30
Datasheet
NOTE:
C
L
Includes Jig Capacitance.
7.6
Capacitance
T
A
= +25 °C, f = 1 MHz
Figure 16. Transient Equivalent Testing Load Circuit
Device
Under Test
Out
R
L
= 3.3 k
1N914
1.3V
C
L
Test Configuration
C
L
(pF)
V
CCQ
= V
CC
= 2.7 V
3.6 V
30
Symbol
Parameter
(1)
Type
Max
Unit
Condition
C
IN
Input Capacitance
6
8
pF
V
IN
= 0.0 V
C
OUT
Output Capacitance
8
12
pF
V
OUT
= 0.0 V
NOTES:
1. Sampled, not 100% tested.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TE28F320J3C Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F320J3C-115 Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F320J3C-120 Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F320J3C-125 Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F320J3C-150 Intel StrataFlash Memory (J3)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TE28F320J3C 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F320J3C110 制造商:Intel 功能描述:
TE28F320J3C-110 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F320J3C110SL7H8 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
TE28F320J3C-115 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3)
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