參數(shù)資料
型號： TE28F256J3C-125
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Memory (J3)
中文描述： 16M X 16 FLASH 2.7V PROM, 125 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, TSOP-56
文件頁數(shù)： 64/72頁
文件大?。?/td> 905K
代理商： TE28F256J3C-125
256-Mbit J3 (x8/x16)
64
Datasheet
0606_10
Figure 23. Block Erase Suspend/Resume Flowchart
Start
Write B0H
Read Status Register
SR.7 =
SR.6 =
Block Erase Completed
Read or Program
Done
Write D0H
Block Erase Resumed
Write FFH
Read Array Data
Program
Program
Loop
Read Array
Data
Read
No
Yes
1
1
0
0
Bus
Operation
Command
Comments
Write
Erase Suspend
Data = B0H
Addr = X
Read
Status Register Data
Addr = X
Standby
Check SR.7
1 - WSM Ready
0 = WSM Busy
Standby
Check SR.6
1 = Block Erase Suspended
0 = Block Erase Completed
Write
Erase Resume
Data = D0H
Addr = X
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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TE28F256J3C-150 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F256J3D95A 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
TE28F256J3D95B 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
TE28F256J3F105A 功能描述:IC FLASH 256MBIT 105NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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