參數(shù)資料
型號： TE28F256J3C-115
廠商： Intel Corp.
英文描述： Intel StrataFlash Memory (J3)
中文描述： 英特爾StrataFlash存儲器（J3）
文件頁數(shù)： 59/72頁
文件大?。?/td> 905K
代理商： TE28F256J3C-115
256-Mbit J3 (x8/x16)
Datasheet
59
Appendix B Flow Charts
Figure 18. Write to Buffer Flowchart
Start
Setup
- Write 0xE8
- Block Address
Check Buffer Status
- Perform read operation
- Read Ready Status on signal SR7
SR7 = 1
Word Count
- Address = block address
- Data = word count minus 1
(Valid range = 0x00 to0x1F)
Confirm
- Write 0xD0
- Block address
End
Yes
No
Yes
SR7 = 1
No
Load Buffer
- Fill write buffer up to word count
- Address = within buffer range
- Data = user data
Read Status
Register (SR)
Full Status Register
Check
(if desired)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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TE28F256J3C-125 Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F256J3C-150 Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F256P30 Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F640J3A-120 Intel StrataFlash Memory (J3)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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TE28F256J3C-150 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F256J3D95A 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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