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參數(shù)資料
| 型號： | TE28F256J3C-110 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| 中文描述： | 英特爾StrataFlash存儲器（J3） |
| 文件頁數(shù)： | 72/72頁 |
| 文件大小： | 905K |
| 代理商： | TE28F256J3C-110 |
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256-Mbit J3 (x8/x16)
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Datasheet
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F128J3C-110 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| TE28F640J3C-110 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| TE28F320J3C-110 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| TE28F128J3A-150 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| TE28F128J3C | Intel StrataFlash Memory (J3) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F256J3C-115 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| TE28F256J3C-120 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| TE28F256J3C-125 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| TE28F256J3C125SL7HD | 功能描述:IC FLASH 256MBIT 125NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| TE28F256J3C-150 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
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