- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄383942 > TE28F160C3B90 (Intel Corp.) TVS UNI-DIR 7.0V 400W SMA PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | TE28F160C3B90 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | TVS UNI-DIR 7.0V 400W SMA |
| 中文描述： | 3伏高級啟動塊8 - ，16 - ，32 - Mbit閃存家庭 |
| 文件頁數(shù)： | 50/59頁 |
| 文件大?。?/td> | 384K |
| 代理商： | TE28F160C3B90 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁當前第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁
3 VOLT ADVANCED+ BOOT BLOCK
E
50
PRODUCT PREVIEW
C.6
DEVICE GEOMETRY DEFINITION
This field provides critical details of the flash device geometry.
Table C7. Device Geometry Definition
Offset
Length (bytes)
Description
27h
01h
Device Size = 2
N
in Number of Bytes
28h
02h
Flash Device Interface Description
value
meaning
28:00, 29:00
28:01,29:00
x8 asynch
x16 asynch
2Ah
02h
Maximum Number of Bytes in Write Buffer = 2
N
2Ch
01h
Number of Erase Block Regions within Device:
bits 7
–0 = x
= # of Erase Block Regions
2Dh
04h
Erase Block Region Information
bits 15–0 = y
, Where y+1 = Number of Erase Blocks of Identical
Size within Region
bits 31–16 = z
, Where the Erase Block(s) within This Region are
(z)
×
256 Bytes
Device Geometry Definition
Offset
8 Mbit
16 Mbit
32 Mbit
-T
-B
-T
-B
-T
-B
27h
27:14
27:14
27:15
27:15
27:16
27:16
28h
28:00 (008)
29:00 (008)
28:01 (800)
29:00 (800)
28:00 (008)
29:00 (008)
28:01 (800)
29:00 (800)
28:00 (016)
29:00 (016)
28:01 (160)
29:00 (160)
28:00 (016)
29:00 (016)
28:01 (160)
29:00 (160)
28:00 (032)
29:00 (032)
28:01 (320)
29:00 (320)
28:00 (032)
29:00 (032)
28:01 (320)
29:00 (320)
2Ah
2A:00
2B:00
2A:00
2B:00
2A:00
2B:00
2A:00
2B:00
2A:00
2B:00
2A:00
2B:00
2Ch
2C:02
2C:02
2C:02
2C:02
2C:02
2C:02
2Dh
2D:0E
2E:00
2F:00
30:01
31:07
32:00
33:20
34:00
2D:07
2E:00
2F:20
30:00
31:0E
32:00
33:00
34:01
2D:1E
2E:00
2F:00
30:01
31:07
32:00
33:20
34:00
2D:07
2E:00
2F:20
30:00
31:1E
32:00
33:00
34:01
2D:3E
2E:00
2F:00
30:01
31:07
32:00
33:20
34:00
2D:07
2E:00
2F:20
30:00
31:3E
32:00
33:00
34:01
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F800C3B90 | TVS BIDIRECT 400W 7.0V SMA |
| TE28F016C3B110 | 3 VOLT ADVANCED+ BOOT BLOCK 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F008C3B110 | 3 VOLT ADVANCED+ BOOT BLOCK 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F016C3T90 | 3 VOLT ADVANCED+ BOOT BLOCK 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F008C3T90 | 3 VOLT ADVANCED+ BOOT BLOCK 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F160C3BA110 | 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 1M x 16, 48 Pin, Plastic, TSSOP |
| TE28F160C3BA70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
| TE28F160C3BA90 | 制造商:Intel 功能描述: 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 1M x 16, 48 Pin, Plastic, TSSOP |
| TE28F160C3BC70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
| TE28F160C3BC80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。