參數(shù)資料
型號(hào)： TE28F160B3T120
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
中文描述： 1M X 16 FLASH 3V PROM, 120 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, TSOP-48
文件頁數(shù)： 47/49頁
文件大小： 427K
代理商： TE28F160B3T120
E
SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK
–WORD-WIDE
47
PRELIMINARY
APPENDIX C
ACCESS TIME VS. CAPACITIVE LOAD
(t
AVQV
vs. C
L
)
Access Time vs. Load Capacitance
Derating Curve
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
30
50
70
100
Load Capacitance(pF)
A
Smart 3 Advanced Boot
Block
NOTE:
V
CCQ
= 2.7V
This chart shows a derating curve for device access time with respect to capacitive load. The value in the
DC characteristics section of the specification corresponds to C
L
= 50 pF.
NOTE:
Sampled, but not 100% tested
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TE28F160B3T150 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
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TE28F400CVT80 4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY
TE28F800B3T120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
TE28F800B3T150 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
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參數(shù)描述
TE28F160B3-T120 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
TE28F160B3T150 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
TE28F160B3-T150 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
TE28F160B3T90 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY
TE28F160B3TA110 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
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