參數(shù)資料
型號： TE28F160B3T110
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY
中文描述： 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 110 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, TSOP-48
文件頁數(shù)： 34/48頁
文件大?。?/td> 304K
代理商： TE28F160B3T110
SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK
E
34
PRELIMINARY
6.0
ORDERING INFORMATION
T E 2 8 F 1 6 0 B 3 T A 9 0
Package
TE = 40-Lead/48-Lead TSOP
GT = 48-Ball μBGA* CSP
Product line designator
for all Intel Flash products
Access Speed (ns)
(90, 110)
Product Family
B3 = Smart 3 Advanced Boot Block
V
CC
= 2.7 V - 3.6 V
V
PP
= 2.7 V - 3.6 V or 11.4 V - 12.6 V
Device Density
320 = x16 (32 Mbit)
160 = x16 (16 Mbit)
800 = x16 (8 Mbit)
400 = x 16 (4 Mbit)
032 = x 8 (32 Mbit)
016 = x8 (16 Mbit)
008 = x8 (8 Mbit)
T =
Top Blocking
B =
Bottom Blocking
Lithography
Not Present = 0.4 μm
A = 0.25 μm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TE28F160C3 3 Volt Intel Advanced+ Boot Block Flash Memory
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TE28F320B3T110 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY
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