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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TE28F160B3B150 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 150 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, TSOP-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/49頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 427K |
| 代理商： | TE28F160B3B150 |
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SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK
–WORD-WIDE
E
4
PRELIMINARY
REVISION HISTORY
Number
Description
-001
Original version
-002
Section 3.4, V
PP
Program and Erase Voltages added
Updated Figure 9: Automated Block Erase Flowchart
Updated Figure 10: Erase Suspend/Resume Flowchart (added program op. to table)
Updated Figure 16: AC Waveform: Program and Erase Operations (updated notes)
I
PPR
maximum specification change from ±25
μ
A to ±50
μ
A
Program and Erase Suspend Latency specification change
Updated Appendix A: Ordering Information (included 8M and 4M information)
Updated Figure, Appendix D: Architecture Block Diagram (Block info. in Words not
bytes)
Minor wording changes
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| TE28F400B3BA90 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| TE28F160B3BA90 | 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
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