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參數(shù)資料
| 型號： | TE28F160B3B120 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 120 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 47/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 427K |
| 代理商： | TE28F160B3B120 |
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E
SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK
–WORD-WIDE
47
PRELIMINARY
APPENDIX C
ACCESS TIME VS. CAPACITIVE LOAD
(t
AVQV
vs. C
L
)
Access Time vs. Load Capacitance
Derating Curve
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
30
50
70
100
Load Capacitance(pF)
A
Smart 3 Advanced Boot
Block
NOTE:
V
CCQ
= 2.7V
This chart shows a derating curve for device access time with respect to capacitive load. The value in the
DC characteristics section of the specification corresponds to C
L
= 50 pF.
NOTE:
Sampled, but not 100% tested
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F160B3B150 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
| TE28F160B3BC70 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F400B3B120 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
| TE28F400B3B150 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
| TE28F400B3BA110 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F160B3-B120 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
| TE28F160B3B150 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
| TE28F160B3-B150 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
| TE28F160B3B90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F160B3BA110 | 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 1M x 16, 48 Pin, Plastic, TSSOP |
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