參數(shù)資料
型號： TE28F128J3C-125
廠商： Intel Corp.
英文描述： Intel StrataFlash Memory (J3)
中文描述： 英特爾StrataFlash存儲器（J3）
文件頁數(shù)： 24/72頁
文件大小： 905K
代理商： TE28F128J3C-125
256-Mbit J3 (x8/x16)
24
Datasheet
0606_16
NOTES:
1. CE
X
low is defined as the last edge of CE0, CE1, or CE2 that enables the device. CE
X
high is defined at the
first edge of CE0, CE1, or CE2 that disables the device (see
Table 13
).
2. When reading the flash array a faster t
GLQV
(R16) applies. For non-array reads, R4 applies (i.e.: Status
Register reads, query reads, or device identifier reads).
NOTE:
CE
X
low is defined as the last edge of CE0, CE1, or CE2 that enables the device. CE
X
high is defined at
the first edge of CE0, CE1, or CE2 that disables the device (see
Table 13
).
Figure 10. 4-Word Page Mode Read Waveform
00
01
10
11
1
2
3
4
R10
R9
R15
R10
R5
R8
R7
R6
R4
R3
R1
R2
A[MAX:3] [A]
A[2:1] [A]
CEx [E]
OE# [G]
WE# [W]
D[15:0] [Q]
RP# [P]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TE28F128J3C-150 Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F320J3A-115 Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F320J3A-120 Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F320J3A-125 Intel StrataFlash Memory (J3)
TE28F320J3A-150 Intel StrataFlash Memory (J3)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TE28F128J3C150 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
TE28F128J3C-150 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 8M x 16, 56 Pin, Plastic, TSSOP
TE28F128J3C150-MTD 制造商:Intel 功能描述:ITLTE28F128J3C150-MTD 128MEG STRATA FLAS
TE28F128J3C150SL759 功能描述:IC FLASH 128MBIT 150NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
TE28F128J3D75 制造商:Intel 功能描述: 制造商:INTELC 功能描述:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*