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參數(shù)資料
| 型號： | TE28F128J3C-120 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| 中文描述： | 8M X 16 FLASH 2.7V PROM, 120 ns, PDSO56 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, TSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 20/72頁 |
| 文件大?。?/td> | 905K |
| 代理商： | TE28F128J3C-120 |
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256-Mbit J3 (x8/x16)
20
Datasheet
6.2
DC Voltage Characteristics
I
CCE
V
CC
Block Erase or Clear
Block Lock-Bits Current
35
70
mA
CMOS Inputs, V
PEN
= V
CC
1,4
40
80
mA
TTL Inputs, V
PEN
= V
CC
I
CCWS
I
CCES
V
CC
Program Suspend or
Block Erase Suspend
Current
10
mA
Device is enabled (see
Table 13
)
1,5
NOTES:
1. All currents are in RMS unless otherwise noted. These currents are valid for all product versions (packages and
speeds). Contact Intel’s Application Support Hotline or your local sales office for information about typical
specifications.
2. Includes STS.
3. CMOS inputs are either V
CC
± 0.2 V or GND ± 0.2 V. TTL inputs are either V
IL
or V
IH
.
4. Sampled, not 100% tested.
5. I
CCWS
and I
CCES
are specified with the device selected. If the device is read or written while in erase suspend
mode, the device’s current draw is I
CCR
and I
CCWS
Table 7. DC Voltage Characteristics
Symbol
Parameter
Min
Max
Unit
Test Conditions
Notes
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
V
2, 6
V
IH
Input High Voltage
2.0
V
+ 0.5
V
2,6
V
OL
Output Low Voltage
0.4
V
V
CCQ
= V
CCQ
Min
I
OL
V
CCQ
= V
CCQ
Min
I
OL
1,2
0.2
V
V
OH
Output High Voltage
0.85
×
V
CCQ
V
V
CCQ
= V
Min
I
OH
= –2.5 mA
1,2
V
–
0.2
V
V
CCQ
= V
Min
I
OH
= –100 μA
V
PENLK
V
Lockout during Program,
Erase and Lock-Bit Operations
2.2
V
2,3,4,7
Table 6. DC Current Characteristics (Sheet 2 of 2)
VCCQ
2.7 - 3.6V
Test Conditions
Notes
VCC
2.7 - 3.6V
Symbol
Parameter
Typ
Max
Unit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F128J3C-125 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| TE28F128J3C-150 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| TE28F320J3A-115 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| TE28F320J3A-120 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| TE28F320J3A-125 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F128J3C-125 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| TE28F128J3C150 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| TE28F128J3C-150 | 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 8M x 16, 56 Pin, Plastic, TSSOP |
| TE28F128J3C150-MTD | 制造商:Intel 功能描述:ITLTE28F128J3C150-MTD 128MEG STRATA FLAS |
| TE28F128J3C150SL759 | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 150NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
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