參數(shù)資料
型號： TE28F016B3T110
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY
中文描述： 2M X 8 FLASH 2.7V PROM, 110 ns, PDSO40
封裝： 10 X 20 MM, TSOP-40
文件頁數(shù)： 38/48頁
文件大小： 304K
代理商： TE28F016B3T110
SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK
E
38
PRELIMINARY
APPENDIX B
ACCESS TIME VS. CAPACITIVE LOAD
(t
AVQV
vs. C
L
)
Access Time vs. Load Capacitance
75
79
83
87
91
95
99
30
40
50
60
70
80
90
100
Load Capacitance (pF)
A
VCCQ = 2.7V
VCCQ = 3.0V
This chart shows a derating curve for device access time with respect to capacitive load. The value in the
DC Characteristics section of the specification corresponds to C
L
= 50 pF.
NOTE:
Sampled, but not 100% tested
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PDF描述
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