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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TE28F010-120 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 128K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 0.310 X 0.720 INCH, TSOP-32 |
| 文件頁數(shù)： | 22/33頁 |
| 文件大小： | 895K |
| 代理商： | TE28F010-120 |
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28F010
E
22
4.6
DC Characteristics
—TTL/NMOS Compatible—Extended Temperature
Products
Limits
Symbol
Parameter
Notes
Min
Typ
(3)
Max
Unit
Test Conditions
I
LI
Input Leakage Current
1
±1.0
μA
V
CC
= V
CC
Max
V
IN
= V
CC
or V
SS
I
LO
Output Leakage Current
1
±10
μA
V
CC
= V
CC
Max
V
OUT
= V
CC
or V
SS
I
CCS
V
CC
Standby Current
1
0.3
1.0
mA
V
CC
= V
CC
Max
CE# = V
IH
I
CC1
V
CC
Active Read Current
1
10
30
mA
V
CC
= V
CC
Max, CE# = V
IL
f = 6 MHz, I
OUT
= 0 mA
I
CC2
V
CC
Programming Current
1, 2
1.0
30
mA
Programming in Progress
I
CC3
V
CC
Erase Current
1, 2
5.0
30
mA
Erasure in Progress
I
CC4
V
CC
Program Verify
Current
1, 2
5.0
30
mA
V
PP
= V
PPH
Program Verify in Progress
I
CC5
V
CC
Erase Verify Current
1, 2
5.0
30
mA
V
PP
= V
PPH
Erase Verify in Progress
I
PPS
V
PP
Leakage Current
1
±10
μA
V
PP
≤
V
CC
I
PP1
V
PP
Read Current or
Standby Current
1
90
200
μA
V
PP
> V
CC
±10.0
V
PP
≤
V
CC
I
PP2
V
PP
Programming Current
1, 2
8.0
30
mA
V
PP
= V
PPH
Programming in Progress
I
PP3
V
PP
Erase Current
1, 2
6.0
30
mA
V
PP
= V
PPH
Erasure in Progress
I
PP4
V
PP
Program Verify
Current
1, 2
2.0
5.0
mA
V
PP
= V
PPH
Program Verify in Progress
I
PP5
V
PP
Erase Verify Current
1, 2
2.0
5.0
mA
V
PP
= V
PPH
Erase Verify in Progress
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High Voltage
2.0
V
CC
+ 0.5
V
V
OL
Output Low Voltage
0.45
V
V
CC
= V
CC
Min
I
OL
= 5.8 mA
V
OH1
Output High Voltage
2.4
V
V
CC
= V
CC
Min
I
OH
= –2.5 mA
V
ID
A
9
Intelligent Identifier
Voltage
11.50
13.00
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F016B3B110 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F008 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F008B3B110 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F008B3B90 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F008B3BA110 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F010-150 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| TE28F010-90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| TE28F016 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F016B3B110 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F016B3B120 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE |
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