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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TE28F008B3TA90 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| 中文描述： | 512K X 16 FLASH 2.7V PROM, 90 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, TSOP-40 |
| 文件頁數(shù)： | 38/48頁 |
| 文件大?。?/td> | 304K |
| 代理商： | TE28F008B3TA90 |
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SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK
E
38
PRELIMINARY
APPENDIX B
ACCESS TIME VS. CAPACITIVE LOAD
(t
AVQV
vs. C
L
)
Access Time vs. Load Capacitance
75
79
83
87
91
95
99
30
40
50
60
70
80
90
100
Load Capacitance (pF)
A
VCCQ = 2.7V
VCCQ = 3.0V
This chart shows a derating curve for device access time with respect to capacitive load. The value in the
DC Characteristics section of the specification corresponds to C
L
= 50 pF.
NOTE:
Sampled, but not 100% tested
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