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參數(shù)資料
| 型號： | TE28F008B3TA110 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| 中文描述： | 512K X 16 FLASH 2.7V PROM, 110 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, TSOP-40 |
| 文件頁數(shù)： | 31/48頁 |
| 文件大?。?/td> | 304K |
| 代理商： | TE28F008B3TA110 |
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E
4.7
SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK
31
PRELIMINARY
Program and Erase Timings
V
PP
2.7 V
–3.6 V
11.4 V–12.6 V
Symbol
Parameter
Notes
Typ
(1)
Max
Typ
(1)
Max
Units
t
BWPB
8-KB Parameter Block
Program Time (Byte)
2, 3
0.16
0.48
0.08
0.24
s
4-KW Parameter Block
Program Time (Word)
2, 3
0.10
0.30
0.03
0.12
s
t
BWMB
64-KB Main Block
Program Time (Byte)
2, 3
1.2
3.7
0.6
1.7
s
32-KW Main Block
Program Time(Word)
2, 3
0.8
2.4
0.24
1
s
t
WHQV1
/ t
EHQV1
Byte Program Time
2, 3
17
165
8
185
μs
Word Program Time
2, 3
22
200
8
185
μs
t
WHQV2
/ t
EHQV2
8-KB Parameter Block
Erase Time (Byte)
2, 3
1
4
0.8
4
s
4-KW Parameter Block
Erase Time (Word)
2, 3
0.5
4
0.4
4
s
t
WHQV3
/ t
EHQV3
64-KB Main Block
Erase Time (Byte)
2, 3
1
5
1
5
s
32-KW Main Block
Erase Time (Word)
2, 3
1
5
0.6
5
s
t
WHRH1
/ t
EHRH1
Program Suspend Latency
5
10
5
10
μs
t
WHRH2
/ t
EHRH2
Erase Suspend Latency
5
20
5
20
μs
NOTES:
1.
2.
3.
Typical values measured at nominal voltages and T
A
= +25 °C.
Excludes external system-level overhead.
Sampled, not 100% tested.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F008B3TA90 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F016B3B90 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F016B3BA110 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F016B3BA90 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F016B3T110 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
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參數(shù)描述 |
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| TE28F008BVB90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:8-MBIT (512K X 16, 1024K X 8) SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F008BVT90 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Intel 功能描述: |
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