- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄383991 > TE28F008B3T90 (INTEL CORP) SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | TE28F008B3T90 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| 中文描述： | 1M X 8 FLASH 2.7V PROM, 90 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 10 X 20 MM, TSOP-40 |
| 文件頁數(shù)： | 31/48頁 |
| 文件大小： | 304K |
| 代理商： | TE28F008B3T90 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁當(dāng)前第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁
E
4.7
SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK
31
PRELIMINARY
Program and Erase Timings
V
PP
2.7 V
–3.6 V
11.4 V–12.6 V
Symbol
Parameter
Notes
Typ
(1)
Max
Typ
(1)
Max
Units
t
BWPB
8-KB Parameter Block
Program Time (Byte)
2, 3
0.16
0.48
0.08
0.24
s
4-KW Parameter Block
Program Time (Word)
2, 3
0.10
0.30
0.03
0.12
s
t
BWMB
64-KB Main Block
Program Time (Byte)
2, 3
1.2
3.7
0.6
1.7
s
32-KW Main Block
Program Time(Word)
2, 3
0.8
2.4
0.24
1
s
t
WHQV1
/ t
EHQV1
Byte Program Time
2, 3
17
165
8
185
μs
Word Program Time
2, 3
22
200
8
185
μs
t
WHQV2
/ t
EHQV2
8-KB Parameter Block
Erase Time (Byte)
2, 3
1
4
0.8
4
s
4-KW Parameter Block
Erase Time (Word)
2, 3
0.5
4
0.4
4
s
t
WHQV3
/ t
EHQV3
64-KB Main Block
Erase Time (Byte)
2, 3
1
5
1
5
s
32-KW Main Block
Erase Time (Word)
2, 3
1
5
0.6
5
s
t
WHRH1
/ t
EHRH1
Program Suspend Latency
5
10
5
10
μs
t
WHRH2
/ t
EHRH2
Erase Suspend Latency
5
20
5
20
μs
NOTES:
1.
2.
3.
Typical values measured at nominal voltages and T
A
= +25 °C.
Excludes external system-level overhead.
Sampled, not 100% tested.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F008B3TA110 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F008B3TA90 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F016B3B90 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F016B3BA110 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F016B3BA90 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F008B3TA110 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F008B3TA90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F008BEB120 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:8-MBIT (512K X 16, 1024K X 8) SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F008BET120 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Intel 功能描述: |
| TE28F008BVB90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:8-MBIT (512K X 16, 1024K X 8) SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。