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參數(shù)資料
| 型號： | TE28F008B3T120 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE |
| 中文描述： | 1M X 8 FLASH 3V PROM, 120 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 10 X 20 MM, TSOP-40 |
| 文件頁數(shù)： | 44/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 408K |
| 代理商： | TE28F008B3T120 |
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SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK
–BYTE-WIDE
E
44
PRELIMINARY
Table 17. Erase and Program Timings
V
PP
= 2.7V
V
PP
= 12V
Sym
Parameter
Notes
Typ
1
Max
3
Typ
1
Max
3
Unit
t
BWPB
Block Program Time
(Parameter)
2
.16
.48
.08
.24
sec
t
BWMB
Block Program Time (Main)
2
1.23
3.69
.58
1.74
sec
t
WHQV1
t
EHQV1
Program Time
2
17
165
8
185
μs
t
WHQV2
t
EHQV2
Block Erase Time (Parameter)
2
1
5.0
0.8
4.8
sec
t
WHQV3
t
EHQV3
Block Erase Time (Main)
2
1.8
8.0
1.1
7.0
sec
t
WHRH1
t
EHRH1
Program Suspend Latency
3
5
10
5
10
μs
t
WHRH2
t
EHRH2
Erase Suspend Latency
3
5
20
6
12
μs
NOTES:
1.
2.
3.
Typical values measured at T
A
= +25°C and nominal voltages.
Excludes external system-level overhead.
Sampled but not 100% tested.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F008B3T150 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE |
| TE28F016B3B150 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE |
| TE28F016B3T120 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE |
| TE28F016B3T150 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE |
| TEA0652 | MONOLITHISCHE STEREO IS |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F008B3T150 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE |
| TE28F008B3T90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F008B3TA110 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F008B3TA90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F008BEB120 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:8-MBIT (512K X 16, 1024K X 8) SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
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