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參數(shù)資料
| 型號： | TE28F004BVT80 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 中文描述： | 512K X 8 FLASH 5V PROM, PDSO40 |
| 封裝： | 20 X 10 MM, TSOP-40 |
| 文件頁數(shù)： | 38/58頁 |
| 文件大?。?/td> | 920K |
| 代理商： | TE28F004BVT80 |
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28F004/400B3, 28F008/800B3, 28F016/160B3, 28F320B3, 28F640B3
32
3UHOLPLQDU\
0580_08
NOTES:
1. CE# must be toggled low when reading Status Register Data. WE# must be inactive (high) when reading
Status Register Data.
A. V
Power-Up and Standby.
B. Write Program or Erase Setup Command.
C. Write Valid Address and Data (for Program) or Erase Confirm Command.
D. Automated Program or Erase Delay.
E. Read Status Register Data (SRD): reflects completed program/erase operation.
F.Write Read Array Command.
Figure 8. AC Waveform: Program and Erase Operations
ADDRESSES [A]
CE#(WE#) [E(W)]
OE# [G]
WE#(CE#) [W(E)]
DATA [D/Q]
RP# [P]
IH
V
IL
V
V
IH
IL
V
V
IH
IL
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
V
IN
D
IN
A
IN
A
Valid
SRD
IN
D
IH
V
High Z
IH
V
IL
V
V [V]
PPH
V
V
PPLK
V
PPH
1
2
WP#
IL
V
IH
V
IN
D
A
B
C
D
E
F
W8
W6
W9
W3
W4
W7
W1
W5
W2
W10
W11
(Note 1)
(Note 1)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F320 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F640B3 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F640B3BC100 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F640B3BC90 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TEA-566A | POWER MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F004BX-B80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:4-MBIT (256K X 16, 512K X 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F004BX-B90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| TE28F004BX-T80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:4-MBIT (256K X 16, 512K X 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F004BX-T90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| TE28F004S3-150 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:BYTE-WIDE SMART 3 FlashFile MEMORY FAMILY 4, 8, AND 16 MBIT |
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