- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄383942 > TE28F002BX-T80 (INTEL CORP) 2-MBIT (128K x 16, 256K x 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TE28F002BX-T80 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 2-MBIT (128K x 16, 256K x 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 中文描述： | 256K X 8 FLASH 12V PROM, 80 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 20 X 10 MM, TSOP-40 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 47/55頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 636K |
| 代理商： | TE28F002BX-T80 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)當(dāng)前第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)
E
4.11
2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FAMILY
47
SEE NEW DESIGN RECOMMENDATIONS
DC Characteristics
—Extended Temperature Operations
(Continued)
Prod
TBV-80
TBV-80
TBE-120
Sym
Parameter
V
CC
3.3 ± 0.3 V
5 V ± 10%
Unit
Test Conditions
Notes
Typ
Max
Typ
Max
V
ID
A
9
Intelligent Identifier
Voltage
11.4
12.6
11.4
12.6
V
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High Voltage
2.0
V
CC
±
0.5V
2.0
V
CC
±
0.5V
V
V
OL
Output Low Voltage
0.45
0.45
V
V
CC
= V
CC
Min
I
OL
= 5.8 mA (5 V)
2 mA (3.3 V)
V
PP
= 12V
V
CC
= V
CC
Min
I
OH
= –2.5 mA
V
CC
= V
CC
Min
I
OH
= –2.5 mA
V
OH
1
Output High Voltage (TTL)
2.4
2.4
V
V
OH
2
Output High Voltage
(CMOS)
0.85
×
V
CC
0.85
×
V
CC
V
V
CC
–
0.4V
V
CC
–
0.4V
V
V
CC
= V
CC
Min
I
OH
=
–100 μA
V
PPLK
V
PP
Lock-Out Voltage
3
0.0
1.5
0.0
1.5
V
Complete Write
Protection
V
PPH
1
V
PP
during Program/Erase
Operations
4.5
5.5
4.5
5.5
V
V
PP
at 5 V
V
PPH
2
11.4
12.6
11.4
12.6
V
V
PP
at 12 V
V
LKO
V
CC
Program/Erase
Lock Voltage
8
2.0
2.0
V
V
HH
RP# Unlock Voltage
11.4
12.6
11.4
12.6
V
V
PP
= 12 V
Boot Block Program/
Erase
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F002BVT80 | 2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F002BX-B80 | 2-MBIT (128K x 16, 256K x 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F016C3B90 | TVS BIDIRECT 400W 64V SMA |
| TE28F008C3B90 | SMAJ6.5A, TRANSIENT VOLTAGE SUP |
| TE28F320C3B90 | 3 VOLT ADVANCED+ BOOT BLOCK 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F002BX-T90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| TE28F004 | 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F004B3B110 | 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F004B3B90 | 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F004B3T110 | 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。