參數(shù)資料
型號: TE28F002BX-B80
廠商: INTEL CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 2-MBIT (128K x 16, 256K x 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY
中文描述: 256K X 8 FLASH 12V PROM, 80 ns, PDSO40
封裝: 20 X 10 MM, TSOP-40
文件頁數(shù): 36/55頁
文件大小: 636K
代理商: TE28F002BX-B80
2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FAMILY
E
36
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Address Stable
Device and
Address Selection
V
IL
V
V
ADDRESSES (A)
IH
IL
V
V
IH
IL
V
V
IH
IL
V
V
CE# (E)
OE# (G)
WE# (W)
DATA (D/Q)
IH
V
IL
V
RP#(P)
OL
V
PHQV
t
High Z
Valid Output
Data
Valid
Standby
AVAV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
OH
t
GLQV
t
t
GLQX
t
ELQV
ELQX
t
AVQV
t
High Z
0530_15
Figure 15. AC Waveforms for Read Operations
Address Stable
Device
Address Selection
V
IL
V
V
ADDRESSES (A)
IH
IL
V
V
IH
IL
V
V
IH
IL
V
CE# (E)
OE# (G)
BYTE# (F)
DATA (D/Q)
(DQ0-DQ7)
OL
V
OH
V
High Z
Data Output
on DQ0-DQ7
Data
Valid
Standby
AVAV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AVQV
t
High Z
GLQV
ELQV
GLQX
t
t
t
AVQV
t
OH
t
Data Output
on DQ0-DQ7
DATA (D/Q)
(DQ8-DQ14)
OL
V
OH
V
High Z
Data Output
on DQ8-DQ14
High Z
(DQ15/A-1)
OL
V
OH
V
High Z
High Z
Data Output
on DQ15
Address Input
FLQZ
t
ELQX
t
ELFL
t
AVFL
t
0530_16
Figure 16. BYTE# Timing Diagram for Read Operations
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