參數(shù)資料
型號: TE28F001BX-B150
廠商: INTEL CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 1-MBIT (128K x 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY
中文描述: 128K X 8 FLASH 12V PROM, 150 ns, PDSO32
封裝: 8 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP-32
文件頁數(shù): 28/33頁
文件大小: 436K
代理商: TE28F001BX-B150
28F001BX-T/28F001BX-B
290406–15
Figure 18. Alternate Boot Block Access Method Using OE
Y
28
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TE28F001BX-B90 1-MBIT (128K x 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY
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TE28F002BVT80 2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY
TE28F002BX-B80 2-MBIT (128K x 16, 256K x 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY
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參數(shù)描述
TE28F001BX-B90 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1-MBIT (128K x 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY
TE28F001BX-T150 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1-MBIT (128K x 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY
TE28F001BX-T90 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1-MBIT (128K x 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY
TE28F002BVB80 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY
TE28F002BVT80 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY