參數資料
型號： TE13004D
英文描述： Silicon NPN High Voltage Switching Transistor
中文描述： 硅npn型高壓開關晶體管
文件頁數： 6/9頁
文件大小： 97K
代理商： TE13004D
TE13004D
TE13005D
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A2, 18-Jul-97
6 (9)
Typical Characteristics
(T
case
= 25 C unless otherwise specified)
95 10602
0
25
50
75
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
P
t
T
case
(
°
C )
150
125
2.2 K/W
12.5 K/W
25 K/W
50 K/W
R
thJA
= 85 K/W
Figure 5. P
tot
vs.T
case
V
I
B
- Base Current (A)
95 9789
0.01
0.1
1
10
10
1
0.1
0.01
C
T
case
= 25
°
C
I
C
= 0.5A
1A
2A
4A
Figure 6. V
CEsat
vs. I
B
h
I
C
- Collector Current (A)
95 9785
F
0.01
0.1
1
10
100
10
1
T
case
= 25
°
C
V
CE
= 2V
10V
5V
Figure 7. h
FE
vs. I
C
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
I
C
V
CE
– Collector Emitter Voltage ( V )
10000
95 10965
t
p
/T
T
case
= 25
°
C
0.01
t
p
=10 s
50 s
100 s
500 s
5ms
DC
1ms
TE13004D
TE13005D
Figure 8. I
C
vs. V
CE
V
I
B
- Base Current (A)
95 9788
B
10
1
0.1
10
1
0.1
0.01
I
C
= 8A
4A
2A
1A
0.5A
T
case
= 25
°
C
Figure 9. V
BEsat
vs. I
B
h
V
CE
- Collector Emitter Voltage (V)
95 9786
F
10
8
6
4
2
0
25
20
15
10
5
0
T
case
= 25
°
C
I
C
= 4A
2A
1A
0.5A
Figure 10. h
FE
vs. V
CE
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PDF描述
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