參數(shù)資料
型號(hào): TDA21201
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: Integrated Switch(MOSFET Driver and MOSFETs)
中文描述: 集成開(kāi)關(guān)(MOSFET驅(qū)動(dòng)器和MOSFET)
文件頁(yè)數(shù): 2/15頁(yè)
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代理商: TDA21201
Preliminary Data Sheet
TDA21201
TO-220 package or its associated SMD counterpart TO-263 and Infineon′s latest
chip technologies.
Block Diagram
Absolute Maximum Ratings
At Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Page 2
Apr-29, 2002
Value
Min. Max.
-5
-5
-10
-55
Symbol
Unit
Peak voltage supplied to ‘VCC’ pins
Peak voltage supplied to ‘IN’ pin, D
IN_Peak
< 10 %
Peak voltage at ‘Vout’ pin to GND
Maximum DC output current, V
CC
= 12 V, V
OUT
3.3 V
Junction temperature
Storage temperature
Lead temperature TO-263;
MSL1, IPC/JEDEC J-STD-020A
Lead temperature TO-220 (soldering, 10 seconds)
ESD rating (Human body model)
IEC climatic category; DIN EN 60068-1
* The positive peak voltage (= the voltage overshoot during switching transients) at the VCC pins and
the OUT pin/tab is limited by the Integrated Switch itself (pls., see the “Over-voltage protection of
VCC” paragraph
Thermal Characteristic
Parameter
V
CC_PEAK
V
IN
V
OUT_PK
I
OUT_MAX
T
J
T
S
T
L
20*
10
20*
30
150
150
225
V
A
°C
T
L
ESD
260
2 k
55/150/56
V
-
Values
Symbol
Min. Typ. Max.
Unit
Thermal resistance, junctions-case
Thermal resistance, junctions-ambient, leaded
1.9
62.5
K/W
FET Drive
Circuitry
V
CC
V
OUT
GND
V
IN
to PWM IC
(Pin 5)
(Pin 1-3)
= 12 V (Pin 6-7)
to output inductor
(Pin 4/tab)
High side FET
Low side FET
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PDF描述
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