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參數(shù)資料
| 型號： | TD200F08KEM |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | 410 A, 800 V, SCR |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 231K |
| 代理商： | TD200F08KEM |
TT 200 F
Bild / Fig. 1, 2, 3
Hchstzulssige Strombelastbarkeit in Abhngigkeit von der Halbschwin-
gungsdauer für einen Zweig bei: sinusfrmigem Stromverlauf,
der angegebenen Gehusetemperatur tC,
Vorwrts-Sperrspannung VDM ≤≤ 0,67 VDRM;
Freiwerdezeit tq gem 5. Kennbuchstaben,
Spannungssteilheit dvD/dt gem 6. Kennbuchstaben.
Ausschaltverlustleistung:
- Berücksichtigt für den Betrieb bei f0 = 50 Hz...0,4 kHz für dvR/dt ≤≤ 500 V/s
und Anstieg auf vRM ≤≤ 0,67 VRRM;
- nicht Berücksichtigt für Betrieb bei f0 ≥≥ 1 kHz. Diese Kurven gelten
jedoch für den Betrieb mit antiparalleler Diode oder dvR/dt ≤≤ 100 V/s und
Anstieg auf VRM ≤≤ 50 V.
Maximum allowable current load versus halfwave duration per arm at:
sinusoidal current waveform, given case temperature tC,
forward off-state voltage vDM ≤≤ 0,67 VDRM,
circuit commutated turn-off time tq according to 5th code letter,
rate of rise of voltage dvD/dt according to 6th code letter.
Turn-of losses:
- taken into account for operation at f0 = 50 Hz to 0.4 kHz for dvR/dt ≤≤ 500V/s
and rise up to vRM ≤≤ 0.67 VRRM;
- not taken into account for operation at f0 ≥≥ 1 kHz. But the curves are valid for
operation with inverse paralleled diode or dvR/dt ≤≤ 100 V/s and rise up to
vRM ≤≤ 50 V.
RC-Glied/RC network:
R
[] ≥≥ 0,02 . vDM [V]
C
≤≤
0,22F
Parameter: Wiederholfrequenz f0 [kHz]
Repetition rate f0 [kHz]
Steuergenerator/Pulse generator:
iG = 1 A, ta = 1s
4
2
8
6
2
4
8
[A]
TM
i
f0 [kHz]
tC = 60°C
TT 200 F4/1
0 , 0
5
0,1
0,25
0,4
1
2
3
5
104
1 03
1 02
4
2
8
6
2
4
8
[A]
TM
i
f0 [kHz]
tC = 80°C
TT 200 F5/2
0 , 0
5
0,1
0,25
0,4
1
2
3
5
1 04
103
102
4
6
102
2
4
6
103
2
4
6
104
4
2
8
6
2
4
8
[A]
TM
i
f0 [kHz]
tC = 100°C
t p
8
[s]
TT 200 F6/3
0 , 0
5
0,1
0,25
0,4
1
2
3
5
104
1 03
1 02
R
C
t
i
iTM
tp
T=1_f
0
Bild / Fig. 4, 5, 6
Hchstzulssige Strombelastbarkeit in Abhngigkeit von der Stromsteilheit
für einen Zweig bei: trapezfrmigem Stromverlauf, der angegebenen
Gehusetemperatur tC;
Vorwrts-Sperrspannung vDM ≤≤ 0,67 VDRM,
Freiwerdezeit tq gem 5. Kennbuchstabe,
Spannungssteiheit dv/dt gem 6. Kennbuchstabe.
Ausschaltverlustleistung berücksichtigt; die Kurven gelten für:
_______ Betrieb mit antiparalleler Diode oder
dvR/dt ≤≤ 100 V/s bei Anstieg auf vRM ≤≤ 50 V.
_ _ _ _ _ dvR/dt ≤≤ 600 V/s und Anstieg auf vRM = 0,67 VRRM.
Maximum allowable current load versus of rise of current per arm at:
trapezoidal current waveform, given case temperature tC,
forward off-state voltage vDM ≤≤ 0.67 VDRM,
circuit commutated turn-off tq according to 5th code letter,
rate of rise of voltage dv/dt according to 6th code letter.
Turn-off losses taken into account; the curves apply for:
_______ Operation with inverse paralleled diod or
dvR/dt ≤≤ 100 V/s rising up to vRM ≤≤ 50 V.
_ _ _ _ _ dvR/dt ≤≤ 600 V/s rising up to vRM = 0.67 VRRM.
RC-Glied/RC network:
R
[] ≥≥ 0,02 . vDM [V]
C
≤≤
0,33F
Parameter: Wiederholfrequenz f0 [kHz]
Repetition rate f0 [kHz]
Steuergenerator/Pulse generator:
iG = 1 A, ta = 1s
4
6
8
3
4
8
[A]
TM
i
f0 [kHz]
tC = 60°C
2
TT 200 F13/4
5
1
3
2
1
0,4
≤≤
0,4
2
3
4
6
8
3
4
8
[A]
TM
i
f0 [kHz]
tC = 80°C
2
TT 200 F14/5
5
1
3
2
0 ,
4
1
0,05
≤≤
0,4
2
3
5 6
101
2
4
6
5
102
4
6
8
3
4
8
[A]
TM
i
f0 [kHz]
tC = 100°C
8
2
8
3
+ diT/dt [A/s]
TT 200 F15/6
3
5
1
3
2
0 ,
4
1
0,05
≤≤
0,4
2
5
1 03
1 02
1 03
1 02
R
C
t
i
iTM
T=1_f
0
+di/dt
-diT/dt
T_
2
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