參數(shù)資料
型號： TCS59SM716AFTL-70
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： 2M×4Banks×16Bits Synchronous DRAM(4組2M×16位同步動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 200萬× 4Banks × 16位同步DRAM（4組200萬× 16位同步動(dòng)態(tài)RAM）的
文件頁數(shù)： 42/49頁
文件大小： 2421K
代理商： TCS59SM716AFTL-70
TC59SM716/08/04AFT/AFTL-70,-75,-80
2000-02-08 42/49
Figure 16. Auto Precharge timing (Write cycle)
(1)
CAS
Latency
=
2
(a) Burst Length
=
1
Command
Write
DQ
AP
Act
D0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
t
RP
(b) Burst Length
=
2
Command
DQ
(c) Burst Length
=
4
Command
DQ
(d) Burst Length
=
8
Command
DQ
(2)
CAS
Latency
=
3
(a) Burst Length
=
1
Command
DQ
(b) Burst Length
=
2
Command
DQ
(c) Burst Length
=
4
Command
DQ
(d) Burst Length
=
8
Command
DQ
Write
AP
Act
D0
Write
AP
Act
D0
Write
D0
Write AP
Act
D0
t
RP
Write
AP
Act
D0
t
RP
Write
AP
Act
D0
t
RP
Write
AP
Act
t
RP
D0
D1
D1
D2
D3
AP
Act
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D1
D1
D2
D3
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
t
WR
t
WR
t
WR
t
WR
t
WR
t
WR
t
WR
t
WR
Note)
represents the Write with Auto Precharge command.
represents the start of internal precharging.
AP
Act
When the Auto Precharge command is asserted, the period from the Bank Activate command to the start of internal
precharging must be at least t
RAS
(min).
t
RP
t
RP
t
RP
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