參數(shù)資料
型號(hào)： TCET1204G
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Optocoupler, Phototransistor Output (Single, Dual Channel)
中文描述： 光耦，光電晶體管輸出（單，雙通道）
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
文件大?。?/td> 273K
代理商： TCET1204G
www.vishay.com
4
Document Number 83501
Rev. 1.5, 26-Oct-04
TCET1200/ TCET1200G/ TCET2200
Vishay Semiconductors
Output
Coupler
Insulation Rated Parameters
Parameter
Test condition
Symbol
P
diss
Min
Typ.
Max
265
Unit
mW
Power dissipation
Parameter
Test condition
Symbol
V
IOTM
T
si
Min
Typ.
Max
8
Unit
kV
Rated impulse voltage
Safety temperature
150
°C
Parameter
Test condition
Symbol
V
pd
Min
1.6
Typ.
Max
Unit
kV
Partial discharge test voltage -
Routine test
Partial discharge test voltage -
Lot test (sample test)
100 %, t
test
= 1 s
t
Tr
= 60 s, t
test
= 10 s,
(see figure 2)
V
IOTM
8
kV
V
pd
R
IO
R
IO
R
IO
1.3
kV
Insulation resistance
V
IO
= 500 V
V
IO
= 500 V, T
amb
= 100 °C
V
IO
= 500 V, T
amb
= 150 °C
10
12
10
11
10
9
(construction test only)
Figure 1. Derating diagram
0
25
50
75
125
0
50
100
150
200
300
P
t
T
si
– Safety Temperature (
°
C )
150
94 9182
100
250
Phototransistor
Psi ( mW )
IR-Diode
Isi ( mA )
Figure 2. Test pulse diagram for sample test according to DIN EN
60747-5-2(VDE0884)/ DIN EN 60747-; IEC60747
t
13930
t
1
, t
2
= 1 to 10 s
t
3
, t
4
= 1 s
t
test
= 10 s
t
stres
= 12 s
V
IOTM
V
Pd
V
IOWM
V
IORM
0
t
1
t
test
t
Tr
= 60 s
t
stres
t
3
t
4
t
2
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