- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄384959 > TCET1114G (Vishay Intertechnology,Inc.) Optocoupler with Phototransistor Output PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | TCET1114G |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Optocoupler with Phototransistor Output |
| 中文描述： | 與光電晶體管光電耦合器輸出 |
| 文件頁數(shù)： | 2/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 268K |
| 代理商： | TCET1114G |
www.vishay.com
2
Document Number 83546
Rev. A3, 18-Mar-03
VISHAY
TCET111.(G)
Vishay Semiconductors
Order Information
G = Lead form 10.16 mm; G is not marked on the body,
4 Pin = Single Channel
Absolute Maximum Ratings
T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified
Stresses in excess of the absolute Maximum Ratings can cause permanent damage to the devise. Functional operation of the device is
not implied at these or any other conditions in excess of those given in the operational sections of this document. Exposure to absolute
Maximum Rating for extended periods of the time can adversely affect reliability.
Emitter
Detector
Coupler
Part
Remarks
TCET1110 (G)
50 to 600 %
TCET1111 (G)
40 to 80 %
TCET1112 (G)
63 to 125 %
TCET1113 (G)
100 to 200 %
TCET1114 (G)
160 to 320 %
TCET1115 (G)
50 to 150 %
TCET1116 (G)
100 to 300 %
TCET1117 (G)
80 to 160 %
TCET1118 (G)
130 to 260 %
TCET1119 (G)
200 to 400 %
Parameter
Test condition
Symbol
V
R
I
F
I
FSM
P
Diss
T
j
Value
6
Unit
V
Reverse voltage
Forward current
60
mA
Forward surge current
t
p
≤
10
μ
s
1.5
A
Power dissipation
100
mW
Junction temperature
125
°C
Parameter
Test condition
Symbol
V
CEO
V
ECO
I
C
I
CM
P
Diss
T
j
Value
70
Unit
V
Collector emitter voltage
Emitter collector voltage
7
V
Collector current
50
mA
Collector peak current
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10 ms
100
mA
Power dissipation
150
mW
Junction temperature
125
°C
Parameter
Test condition
Symbol
V
IO
P
tot
T
amb
Value
5
Unit
kV
Isolation test voltage (RMS)
t = 1 min
Total power dissipation
250
mW
Operating ambient temperature
range
Storage temperature range
- 40 to + 110
°C
T
stg
T
sd
- 55 to + 125
°C
Soldering temperature
2 mm from case t
≤
10 s
260
°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TCET1115 | Optocoupler with Phototransistor Output |
| TCET1115G | Optocoupler with Phototransistor Output |
| TCET1116 | Optocoupler with Phototransistor Output |
| TCET1116G | Optocoupler with Phototransistor Output |
| TCET1117 | Optocoupler with Phototransistor Output |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TCET1115 | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 50-150% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| TCET1115G | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 50-150% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| TCET1116 | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100-300% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| TCET1116G | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100-300% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| TCET1117 | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 80-160% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。