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參數(shù)資料
| 型號： | TCET1113G |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Optocoupler with Phototransistor Output |
| 中文描述： | 與光電晶體管光電耦合器輸出 |
| 文件頁數(shù)： | 6/9頁 |
| 文件大小： | 268K |
| 代理商： | TCET1113G |
www.vishay.com
6
Document Number 83546
Rev. A3, 18-Mar-03
VISHAY
TCET111.(G)
Vishay Semiconductors
Typical Characteristics
(T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified)
Figure 6. Total Power Dissipation vs. Ambient Temperature
Figure 7. Forward Current vs. Forward Voltage
Figure 8. Relative Current Transfer Ratio vs. Ambient
Temperature
0
50
100
150
200
250
300
0
20
40
60
80
100
120
T
amb
– Ambient Temperature (
°
C )
16736
P
t
Coupled Device
Phototransistor
IR–Diode
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
V
F
– Forward Voltage ( V )
96 11862
F
I
–
0.00
0.20
0.40
0.60
0.80
1.00
1.20
–40 –20
0
20
40
60
80
100 120
T
amb
– Ambient Temperature (
°
C )
16737
VCE = 5 V
IF = 5 mA
C
r
Figure 9. Collector Dark Current vs. Ambient Temperature
Figure 10. Collector Current vs. Forward Current
Figure 11. Collector Current vs. Collector Emitter Voltage
1.00
10.00
100.00
1000.00
10000.00
0
20
40
60
80
100
120
T
amb
– Ambient Temperature (
°
C )
I
C
w
V
CE
= 30 V
10 V
16738
0.1
1
10
0.01
0.1
1
100
I
C
I
F
– Forward Current ( mA )
100
95 11027
10
V
CE
=5V
0.1
1
10
0.1
1
10
100
V
CE
– Collector Emitter Voltage ( V )
100
95 10985
I
C
I
F
=50mA
5mA
2mA
1mA
20mA
10mA
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| TCET1115G | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 50-150% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| TCET1116 | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100-300% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
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