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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TCET1112 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Optocoupler with Phototransistor Output |
| 中文描述： | 與光電晶體管光電耦合器輸出 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 268K |
| 代理商： | TCET1112 |
VISHAY
TCET111.(G)
Vishay Semiconductors
Document Number 83546
Rev. A3, 18-Mar-03
www.vishay.com
3
Electrical Characteristics
T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified
Minimum and maximum values are testing requirements. Typical values are characteristics of the device and are the result of engineering
evaluation. Typical values are for information only and are not part of the testing requirements.
Emitter
Detector
Coupler
Current Transfer Ratio
Parameter
Test condition
Symbol
V
F
C
j
Typ.
1.25
Max
1.6
Unit
V
Forward voltage
I
F
= ± 50 mA
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
Junction capacitance
50
pF
Parameter
Test condition
Symbol
V
CEO
V
ECO
I
CEO
Min
70
Typ.
Max
Unit
V
Collector emitter voltage
I
C
= 1 mA
I
E
= 100
μ
A
V
CE
= 20 V, I
f
= 0, E = 0
Emitter collector voltage
7
V
Collector emitter cut-off current
10
100
nA
Parameter
Test condition
Symbol
V
CEsat
Typ.
Max
0.3
Unit
V
Collector emitter saturation
voltage
Cut-off frequency
I
F
= 10 mA, I
C
= 1 mA
V
CE
= 5 V, I
F
= 10 mA,
R
L
= 100
f = 1 MHz
f
c
110
kHz
Coupling capacitance
C
k
0.3
pF
Parameter
Test condition
Part
Symbol
CTR
Min
0.13
Typ.
0.30
Max
Unit
%
I
C
/I
F
V
CE
= 5 V, I
F
= 1 mA
V
CE
= 5 V, I
F
= 1 mA
V
CE
= 5 V, I
F
= 1 mA
V
CE
= 5 V, I
F
= 1 mA
V
CE
= 5 V, I
F
= 5 mA
V
CE
= 5 V, I
F
= 5 mA
V
CE
= 5 V, I
F
= 5 mA
V
CE
= 5 V, I
F
= 5 mA
V
CE
= 5 V, I
F
= 5 mA
V
CE
= 5 V, I
F
= 5 mA
V
CE
= 5 V, I
F
= 10 mA
V
CE
= 5 V, I
F
= 10 mA
V
CE
= 5 V, I
F
= 10 mA
V
CE
= 5 V, I
F
= 10 mA
TCET1111 (G)
TCET1112 (G)
CTR
0.22
0.45
%
TCET1113 (G)
CTR
0.34
0.70
%
TCET1114 (G)
CTR
0.56
0.90
%
TCET1110 (G)
CTR
0.50
6.0
%
TCET1115 (G)
CTR
0.5
1.5
%
TCET1116 (G)
CTR
1.0
3.0
%
TCET1117 (G)
CTR
0.8
1.6
%
TCET1118 (G)
CTR
1.3
2.6
%
TCET1119 (G)
CTR
2.0
4.0
%
TCET1111 (G)
CTR
0.40
0.8
%
TCET1112 (G)
CTR
0.63
1.25
%
TCET1113 (G)
CTR
1.0
2.0
%
TCET1114 (G)
CTR
1.6
3.2
%
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TCET1112G | Optocoupler with Phototransistor Output |
| TCET1113 | Optocoupler with Phototransistor Output |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TCET1112G | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 63-125% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| TCET1113 | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100-200% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| TCET1113G | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100-200% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| TCET1114 | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>160-320% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| TCET1114G | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>160-320% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
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