- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄384959 > TCET1110G (Vishay Intertechnology,Inc.) Optocoupler with Phototransistor Output PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | TCET1110G |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Optocoupler with Phototransistor Output |
| 中文描述： | 與光電晶體管光電耦合器輸出 |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 268K |
| 代理商： | TCET1110G |
www.vishay.com
4
Document Number 83546
Rev. A3, 18-Mar-03
VISHAY
TCET111.(G)
Vishay Semiconductors
Maximum Safety Ratings
(according to VDE 0884) see figure 1
This optocoupler is suitable for safe electrical isolation only within the safety ratings.
Compliance with the safety ratings shall be ensured by means of suitable protective circuits.
Emitter
Detector
Coupler
Insulation Rated Parameters
Parameter
Symbol
I
F
Max
130
Unit
mA
Forward current
Parameter
Symbol
P
Diss
Max
265
Unit
mW
Power dissipation
Parameter
Symbol
V
IOTM
T
si
Max
8
Unit
kV
Rated impulse voltage
Safety temperature
150
°C
Parameter
Test condition
Symbol
V
pd
Min
1.6
Unit
kV
Partial discharge test voltage -
Routine test
Partial discharge test voltage -
Lot test (sample test), (see
figure 2)
100 %, t
test
= 1 s
t
Tr
= 60 s, t
test
= 10 s
V
IOTM
8
kV
t
Tr
= 60 s, t
test
= 10 s
V
IO
= 500 V
V
IO
= 500 V, T
amb
= 100 °C
V
IO
= 500 V, T
amb
= 150 °C
(construction test only)
V
pd
R
IO
R
IO
R
IO
1.3
kV
Insulation resistance
10
12
10
11
10
9
Figure 1. Derating diagram
0
25
50
75
125
0
50
100
150
200
300
P
t
T
si
– Safety Temperature (
°
C )
150
94 9182
100
250
Phototransistor
Psi ( mW )
IR-Diode
Isi ( mA )
Figure 2. Test pulse diagram for sample test according to DIN VDE
0884; IEC60747
t
13930
t
1
, t
2
= 1 to 10 s
t
3
, t
4
= 1 s
t
test
= 10 s
t
stres
= 12 s
V
IOTM
V
Pd
V
IOWM
V
IORM
0
t
1
t
test
t
Tr
= 60 s
t
stres
t
3
t
4
t
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TCET1111 | Optocoupler with Phototransistor Output |
| TCET1111G | Optocoupler with Phototransistor Output |
| TCET1112 | Optocoupler with Phototransistor Output |
| TCET1112G | Optocoupler with Phototransistor Output |
| TCET1113 | Optocoupler with Phototransistor Output |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TCET1111 | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 40-80% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| TCET1111G | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 40-80% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| TCET1112 | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 63-125% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| TCET1112G | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 63-125% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| TCET1113 | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100-200% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。