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參數(shù)資料
| 型號： | TCET1108G |
| 廠商： | VISHAY TELEFUNKEN |
| 元件分類： | 光電耦合器 |
| 英文描述： | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 封裝： | PLASTIC, DIP-4 |
| 文件頁數(shù)： | 7/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 143K |
| 代理商： | TCET1108G |
TCET110.(G) up to TCET4100
Vishay Telefunken
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 83503
Rev. A6, 08–Sep–99
5 (11)
Maximum Safety Ratings (according to VDE 0884) see figure 1
This device is used for protective separation against electrical shock only within the maximum safety ratings.
This must be ensured by using protective circuits in the applications.
Input (Emitter)
Parameters
Test Conditions
Symbol
Value
Unit
Forward current
Isi
130
mA
Output (Detector)
Parameters
Test Conditions
Symbol
Value
Unit
Power dissipation
Tamb ≤ 25°C
Psi
265
mW
Coupler
Parameters
Test Conditions
Symbol
Value
Unit
Rated impulse voltage
VIOTM
8
kV
Safety temperature
Tsi
150
°C
Insulation Rated Parameters (according to VDE 0884)
Parameter
Test Conditions
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Partial discharge test voltage –
Routine test
100%, ttest = 1 s
Vpd
1.6
kV
Partial discharge test voltage –
tTr = 60 s, ttest = 10 s,
VIOTM
8
kV
Partial discharge test voltage
Lot test (sample test)
tTr
60 s, ttest
10 s,
(see figure 2)
Vpd
1.3
kV
Insulation resistance
VIO = 500 V
RIO
1012
W
Insulation resistance
VIO = 500 V,
Tamb = 100°C
RIO
1011
W
VIO = 500 V,
Tamb = 150°C
(construction test only)
RIO
109
W
0
25
50
75
125
0
50
100
150
200
300
P
–
T
otal
Power
Dissipation
(
mW
)
tot
Tsi – Safety Temperature ( °C )
150
94 9182
100
250
Phototransistor
Psi ( mW )
IR-Diode
Isi ( mA )
Figure 1. Derating diagram
t
13930
1, t2 = 1 to 10 s
t3, t4 = 1 s
ttest = 10 s
tstres = 12 s
VIOTM
VPd
VIOWM
VIORM
0
t1
ttest
tTr = 60 s
tstres
t3
t4
t2
Figure 2. Test pulse diagram for sample test according to
DIN VDE 0884
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| TCFGA0G106K8R | Chip tantalum capacitors with open-function built-in |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| TCET1109 | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>200-400% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| TCET1109G | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR 200-400% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| TCET1110 | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 50-600% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| TCET1110_07 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Optocoupler, Phototransistor Output, High Temperature, 110 °C Rated |
| TCET1110G | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 50-600% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
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