參數(shù)資料
型號： TCET1107G
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Optocoupler with Phototransistor Output
中文描述： 與光電晶體管光電耦合器輸出
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大?。?/td> 262K
代理商： TCET1107G
TCET110.(G) up to TCET4100
Vishay Telefunken
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
6 (11)
Document Number 83503
Rev. A6, 08–Sep–99
Switching Characteristics
Parameter
Delay time
Rise time
Turn-on time
Storage time
Fall time
Turn-off time
Turn-on time
Turn-off time
Test Conditions
Symbol
t
d
t
r
t
on
t
s
t
f
t
off
t
on
t
off
Typ.
3.0
3.0
6.0
0.3
4.7
5.0
9.0
10.0
Unit
V
= 5 V, I
= 2 mA, R
= 100 (see figure 3)
S
C
L
s
s
s
s
s
s
s
s
V
= 5 V, I
= 10 mA, R
= 1 k (see figure 4)
S
F
L
Channel I
Channel II
95 10804
Oscilloscope
R
L
= 1 M
C
L
= 20 pF
R
G
= 50
t
p
T
t
p
= 50 s
= 0.01
+ 5 V
I
C
= 2 mA; adjusted through
input amplitude
I
F
0
I
F
50
100
Figure 3. Test circuit, non-saturated operation
+ 5 V
I
F
= 10 mA
95 10843
I
C
Channel I
Channel II
Oscilloscope
R
L
> 1 M
C
L
< 20 pF
I
F
0
R
G
= 50
t
p
T
t
p
= 50 s
= 0.01
50
1 k
Figure 4. Test circuit, saturated operation
t
p
t
t
0
0
10%
90%
100%
t
r
t
d
t
on
t
s
t
f
t
off
I
F
I
C
96 11698
t
p
t
d
t
r
t
on
(= t
d
+ t
r
)
pulse duration
delay time
rise time
turn-on time
t
s
t
f
t
off
(= t
s
+ t
f
)
storage time
fall time
turn-off time
Figure 5. Switching times
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PDF描述
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參數(shù)描述
TCET1108 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
TCET1108G 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR 130-260% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
TCET1109 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>200-400% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
TCET1109G 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR 200-400% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
TCET1110 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 50-600% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
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