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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TCET1100 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Optocoupler with Phototransistor Output |
| 中文描述： | 與光電晶體管光電耦合器輸出 |
| 文件頁數(shù)： | 4/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 262K |
| 代理商： | TCET1100 |
TCET110.(G) up to TCET4100
Vishay Telefunken
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
4 (11)
Document Number 83503
Rev. A6, 08–Sep–99
Electrical Characteristics
(T
amb
= 25
°
C)
Input (Emitter)
Parameter
Forward voltage
Junction capacitance
Test Conditions
I
F
=
±
50 mA
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
Symbol
V
F
C
j
Min.
Typ.
1.25
50
Max.
1.6
Unit
V
pF
Output (Detector)
Parameter
Collector emitter voltage
Emitter collector voltage
Collector emitter cut-off
current
Test Conditions
I
C
= 1 mA
I
E
= 100 A
V
CE
= 20 V, I
f
= 0, E = 0
Symbol
V
CEO
V
ECO
I
CEO
Min.
70
7
Typ.
Max.
Unit
V
V
nA
10
100
Coupler
Parameter
Test Conditions
I
F
= 10 mA, I
C
= 1 mA
Symbol
V
CEsat
Min.
Typ.
Max.
0.3
Unit
V
Collector emitter
saturation voltage
Cut-off frequency
V
CE
= 5 V, I
F
= 10 mA,
R
L
= 100
f = 1 MHz
f
c
110
kHz
Coupling capacitance
C
k
0.3
pF
Current Transfer Ratio (CTR)
Parameter
I
C
/I
F
V
CE
= 5 V, I
F
= 5 mA
Test Conditions
Type
Symbol
CTR
Min.
0.50
Typ.
Max.
6.0
Unit
TCET1100(G)/
TCET2100/
TCET4100
TCET1101(G)
TCET1102(G)
TCET1103(G)
TCET1104(G)
TCET1101(G)
TCET1102(G)
TCET1103(G)
TCET1104(G)
TCET1105(G)
TCET1106(G)
TCET1107(G)
TCET1108(G)
TCET1109(G)
I
C F
V
= 5 V, I
= 10 mA
CE
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
0.40
0.63
1.0
1.6
0.13
0.22
0.34
0.56
0.5
1.0
0.8
1.3
2.0
0.8
1.25
2.0
3.2
F
I
C F
V
= 5 V, I
= 1 mA
CE
0.30
0.45
0.70
0.90
F
I
C F
V
= 5 V, I
= 5 mA
CE
1.5
3.0
1.6
2.6
4.0
F
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TCET1100G | Optocoupler with Phototransistor Output |
| TCET1101 | Optocoupler with Phototransistor Output |
| TCET1101G | Optocoupler with Phototransistor Output |
| TCET1102 | Optocoupler with Phototransistor Output |
| TCET1102G | Optocoupler with Phototransistor Output |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TCET1100_08 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Optocoupler, Phototransistor Output, High Temperarure |
| TCET1100G | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR 50-600% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| TCET1100G | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:Optocoupler |
| TCET1101 | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| TCET1101G | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR 40-80% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
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