參數(shù)資料
型號(hào)： TCDT1120G
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Optocoupler with Phototransistor Output
中文描述： 與光電晶體管光電耦合器輸出
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 158K
代理商： TCDT1120G
TCDT1120(G) Series
Vishay Telefunken
Rev. A3, 11–Jan–99
227
Maximum Safety Ratings
(according to VDE 0884) see figure 1
This device is used for protective separation against electrical shock only within the maximum safety ratings.
This must be ensured by using protective circuits in the applications.
Input (Emitter)
Parameters
Test Conditions
Symbol
I
si
Value
130
Unit
mA
Forward current
Output (Detector)
Parameters
Test Conditions
T
amb
≤
25 C
Symbol
P
si
Value
265
Unit
mW
Power dissipation
Coupler
Parameters
Test Conditions
Symbol
V
IOTM
T
si
Value
6
150
Unit
kV
C
Rated impulse voltage
Safety temperature
Insulation Rated Parameters
(according to VDE 0884)
Parameter
Test Conditions
100%, t
test
= 1 s
Symbol
V
pd
Min.
1.6
Typ.
Max.
Unit
kV
Partial discharge test voltage –
Routine test
Partial discharge test voltage – t
Tr
= 60 s, t
= 10 s,
Lot test (sample test)
Insulation resistance
V
IOTM
V
pd
R
IO
R
IO
6
kV
kV
(see figure 2)
V
IO
= 500 V
V
IO
= 500 V,
T
amb
≤
100 C
V
IO
= 500 V,
T
amb
≤
150 C
(construction test only)
test
1.3
10
12
10
11
R
IO
10
9
0
50
100
150
200
250
300
0
25
50
75
100 125 150 175 200
T
amb
(
°
C )
95 10934
P
si
(mW)
I
si (mA)
Figure 1. Derating diagram
VIOTM
VPd
VIOWM
VIORM
V
t4
t3ttest
tstres
t2
t1
t
0
13930
tTr= 60 s
t1, t2= 1 to 10 s
t3, t4= 1 s
ttest = 10 s
tstres= 12 s
Figure 2. Test pulse diagram for sample test according to
DIN VDE 0884
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