參數(shù)資料
型號： TB1239BF
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Bi-CMOS Integrated Circuit Silicon Monolithic
中文描述： 雙CMOS硅單片集成電路
文件頁數(shù)： 23/26頁
文件大?。?/td> 333K
代理商： TB1239BF
TB1239BF
2002-02-12
23
Maximum Ratings
(Ta 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Supply voltage
V
CC/DDmax
5.5
V
Signal voltage at each input pin
e
inmax
5
V
p-p
Power consumption
P
D
(Note6)
1644
mW
Power consumption reduction ratio
1/
ja
13.16
mW/°C
Operating temperature
T
opr
25 to 65
°C
Storage temperature
T
stg
55 to 150
°C
Note 6: Put on the circuit board. Refer to the figure below.
Supply Voltage
Characteristics
Description
Min
Typ.
Max
Unit
Supply voltage
Pin 6, 12, 32
4.75
5.0
5.25
V
Electrical Characteristics
(YC V
CC
/SYNC V
CC
/D V
DD
5 V and Ta 25°C, unless otherwise specified)
Current Consumption
Pin
No.
Pin Name
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
6
D V
DD
I
DD
4
7
15
12
SYNC V
CC
I
CC1
9
13.5
20
32
Y/C V
CC
I
CC2
75
100
130
mA
Figure 3 Power Consumption Reduction Against Ambient Temperature
Ambient temperature Ta (°C)
P
D
1644
0
0
150
25
65
1052
13.16 mW/°C
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