參數(shù)資料
型號： TB1100M
廠商： Diodes Inc.
英文描述： 50A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE
中文描述： 50A條的雙向表面貼裝晶閘管浪涌保護器
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 187K
代理商： TB1100M
DS30361 Rev. 2 - 1
3 of 4
TB0640M - TB3500M
0.9
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
J
Fig. 2 Relative Variation of Breakdown Voltage
vs. Junction Temperature
V
= (T )
BR
J
V
= (T = 25°C)
BR
J
0.95
1
1.05
1.1
1.15
1.2
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
NORMALIZED BREAKDOWN VOLTAGE
1
1.05
0.95
-50
NORMALIZED BREAKDOWN VOLTAGE
T , JUNCTION TEMPERATURE (oC)
J
Fig. 3 Relative Variation of Breakover Voltage
vs. Junction Temperature
1.1
-25
0
75
50
25
125
100
175
150
V
= (T )
BO
J
V
= (T = 25°C)
BO
J
1
10
100
1
1.5
3
2.5
2
4
3.5
5
4.5
I , ON-STATE CURRENT (A)
T
V , ON-STATE VOLTAGE (V)
T
Fig. 4 On-State Current vs. On-State Voltage
T = 25°C
j
I
, OFF-STATE CURRENT (uA)
(DRM)
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
J
Fig. 1 Off-State Current vs. Junction Temperature
0.001
0.01
1
0.1
10
100
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
= 50V
DRM
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.4
1.3
1.2
-50
-25
0
25
50
100
75
125
NORMALIZED HOLDING CURRENT
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
J
Fig. 5 Relative Variation of Holding Current vs.
Junction Temperature
I = (T )
H
J
I
= (T = 25°C)
H
J
0.1
1
1
10
100
NORMALIZED CAPACITANCE
V , REVERSE VOLTAGE (V)
R
Fig. 6 Relative Variation of Junction Capacitance
vs. Reverse Voltage Bias
C = (V )
O
R
C
= (V = 1V)
O
R
T = 25°C
j
f = 1 Mhz
V
RMS
= 1V
C
U
D
O
R
P
W
E
N
UNDER DEVELOPMENT
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PDF描述
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