- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄384947 > TB0900L (Diodes Inc.) 30A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TB0900L |
| 廠商： | Diodes Inc. |
| 英文描述： | 30A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE |
| 中文描述： | 30A條的雙向表面貼裝晶閘管浪涌保護(hù)器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 190K |
| 代理商： | TB0900L |
DS30359 Rev. 2 - 1
2 of 4
TB0640L - TB3500L
Electrical Characteristics
@ T
A
= 25
°
C unless otherwise specified
Part Number
Rated
Repetitive
Off-State
Voltage
Off-State
Leakage
Current @
V
DRM
Breakover
Voltage
On-State
Voltage
@ I
T
= 1A
Breakover
Current
I
BO
Holding Current
I
H
Off-State
Capacitance
Marking
Code
V
DRM
(V)
I
DRM
(uA)
V
BO
(V)
V
T
(V)
Min
(mA)
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
Max (mA)
Min
(mA)
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
Max (mA)
C
O
(pF)
TB0640L
TB0720L
TB0900L
TB1100L
TB1300L
TB1500L
TB1800L
TB2300L
TB2600L
TB3100L
TB3500L
58
65
75
90
120
140
160
190
220
275
320
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
77
88
98
130
160
180
220
265
300
350
400
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
100
100
100
60
60
60
60
40
40
40
40
T064L
T072L
T090L
T110L
T130L
T150L
T180L
T230L
T260L
T310L
T350L
Symbol
V
DRM
I
DRM
V
BR
I
BR
V
BO
I
BO
I
H
V
T
I
PP
C
O
Parameter
Stand-off Voltage
Leakage current at stand-off voltage
Breakdown voltage
Breakdown current
Breakover voltage
Breakover current
Holding current NOTE: 1
On state voltage
Peak pulse current
Off-state capacitance NOTE: 2
Notes:
recovery time does not exceed 30ms.
2. Off-state capacitance measured at f = 1.0MHz, 1.0V
RMS
signal, V
R
= 2V
DC
bias.
1. I
H
> (V
L
/R
L
) If this criterion is not obeyed, the TSPD triggers but does not return correctly to high-resistance state. The surge
I
BO
V
BR
V
DRM
V
T
V
BO
I
H
I
V
I
BR
I
DRM
I
PP
C
U
D
O
R
P
W
E
N
UNDER DEVELOPMENT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TB0640M | 50A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE |
| TB0900M | 50A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE |
| TB1300M | 50A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE |
| TB1500M | 50A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE |
| TB1800M | 50A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TB0900L-13 | 功能描述:硅對(duì)稱(chēng)二端開(kāi)關(guān)元件 30A 75V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| TB0900L-13-F | 功能描述:硅對(duì)稱(chēng)二端開(kāi)關(guān)元件 30A 75V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| TB0900M | 制造商:LITEON 制造商全稱(chēng):Lite-On Technology Corporation 功能描述:SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE |
| TB0900M-13 | 功能描述:硅對(duì)稱(chēng)二端開(kāi)關(guān)元件 50A 75V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| TB0900M-13-F | 功能描述:硅對(duì)稱(chēng)二端開(kāi)關(guān)元件 50A 75V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
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