參數(shù)資料
型號： T659N22TOF
元件分類： 晶閘管
英文描述： 1500 A, 2200 V, SCR
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 213K
代理商： T659N22TOF
T 659 N
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Hchstzulssige Werte
Maximum rated values
Periodische Vorwrts- und Rückwrts-
Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and
reverse voltages
tvj = -40°C...tvj max
VDRM, VRRM
2200 2400 2600 V
Vorwrts-Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state
voltage
tvj = -40°C...tvj max
VDSM
2200 2400 2600 V
Rückwrts-Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
tvj = +25°C...tvj max
VRSM
2300 2500 2700 V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS on-state current
ITRMSM
1500 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
tc = 85°C
ITAVM
659 A
tc = 56°C
955 A
Stostrom-Grenzwert
surge current
tvj = 25°C, tp = 10 ms
ITSM
13000 A
tvj = tvj max, tp = 10 ms
11500 A
Grenzlastintegral
I2 t-value
tvj = 25°C, tp = 10 ms
I2 t
845000 A2s
tvj = tvj max, tp = 10 ms
660000 A2s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 747-6, f= 50 Hz,
(di/dt)cr
150 A/s
vL=10 V, iGM= 1 A, diG/dt = 1 A/s
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
tvj = tvj max, vD =0,67 VDRM
(dv/dt)cr
5.Kennbuchstabe/5th letter F
1000 V/s
Charakteristische Werte
Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
tvj = tvj max, iT = 2850 A
vT
max. 2,53 V
Schleusenspannung
threshold voltage
tvj = tvj max
VT(TO)
1 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
tvj = tvj max
rT
0,5 m
Zündstrom
gate trigger current
tvj = 25 °C, vD = 6 V
IGT
max. 250 mA
Zündspannung
gate trigger voltage
tvj = 25 °C, vD = 6 V
VGT
max. 2,2 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
tvj = tvj max, vD = 6 V
IGD
max. 10 mA
tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM
max. 5 mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM
VGD
max. 0,25 V
Haltestrom
holding current
tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 5
IH
max. 300 mA
Einraststrom
latching current
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK ≥ 10
IL
max. 1500 mA
iGM = 1 A, diG /dt = 1 A/s, tg = 20 s
Vorwrts- und Rückwrts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents tvj = tvj max, vD = VDRM, vR = VRRM
iD, iR
max. 100 mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6, tvj=25°C, iGM=1A,
diG/dt=1A/s
tgd
max. 4 s
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
tvj=tvj max, iTM=iTAVM, vRM=100 V, vDM=0,67
vDRM, dvD/dt=20V/s,-diT/dt=10A/s,
4.Kennbuchstabe/4th letter O
tq
typ. 300 s
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlflche/cooling surface
RthJC
beidseitig/two-sided, Θ =180° sin
max.
0,033 °C/W
beidseitig/two-sided, DC
max.
0,03 °C/W
Anode/anode, Θ =180° sin
max.
0,0537 °C/W
Anode/anode, DC
max.
0,0511 °C/W
Kathode/cathode, Θ =180° sin
max.
0,0816 °C/W
Kathode/cathode, DC
max.
0,0732 °C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlflche/cooling surface
RthCK
beidseitig/two-sided
max.
0,005 °C/W
einseitig/single-sided
max.
0,01 °C/W
Hchstzul.Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
tvj max
125 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
tc op
-40...+125 °C
Lagertemperatur
storage temperature
tstg
-40...+140 °C
Mechanische Eigenschaften Mechanical properties
Anprekraft
clamping force
F
10,5...21 kN
Gewicht
weight
G
typ. 280 g
Kriechstrecke
creepage distance
25 mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50 m/s
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehrigen Technischen Erluterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the belonging technical notes.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
T659N24TOF 1500 A, 2400 V, SCR
T7518 5 Mbps, ST506; ESDI COMPATIBLE, FIXED DISK CONTROLLER, PQFP144
T90RIA60 141 A, 600 V, SCR
T90RIA80 141 A, 800 V, SCR
T90RIA10 141 A, 100 V, SCR
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參數(shù)描述
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